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source and drain terminals
Vertaling van "source and drain terminals" in Duits
Source- und Drain-Anschlüsse
This is the lumped capacitance between the gate terminal and the source and drain terminals.
Dies ist die konzentrierte Kapazität zwischen dem Gate-Anschluß und den Source und Drain-Anschlüsse.
The semiconductor memory device of claim 1, wherein the transistors of said second type have short-circuited source and drain terminals.
Halbleiterspeicheranordnung nach Anspruch 1, worin die Transistoren des zweiten Typs kurzgeschlossene Source- und Drain-Anschlüsse haben.
A circuit arrangement as claimed in claim 2 wherein each said switching transistor (T) is a field effect transistor and the voltage regulating diode (D 2) is connected between its source and drain terminals.
Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, bei der jeder genannte Schalttransistor (T) ein Feldeffekttransistor ist und die spannungsregulierende Diode (D 2) zwischen seinem Source- und seinem Drain-Anschluss geschaltet ist.
A device as claimed in claim 23, in which the metal oxide silicon capacitor (35) forms the second semiconductor switch and has source and drain terminals connected to the first semiconductor switch (10) and the image element (11).
Bauteil nach Anspruch 23, bei dem der Metalloxid-Silicium-Kondensator (35) den zweiten Halbleiterschalter bildet und er über einen source- und einen Drainanschluss verfügt, der mit dem ersten Halbleiterschalter (10) und dem Bildelement (11) verbunden ist.
A charge pump apparatus as in claim 1, 2 or 3 wherein said diode means comprises a transistor (350,360) having gate, source and drain terminals with said gate terminal being connected to said drain terminal.
Ladungspumpenvorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, bei der die Diodeneinrichtung einen Transistor (350,360) mit einem Gate-, einem Source- und einem Drain-Anschluß aufweist, wobei der Gate-Anschluß mit dem Drain-Anschluß verbunden ist.
This is the resistance between the source and drain terminals when the MOSFET is turned fully on.
Dies ist der Widerstand zwischen den Source- und Drain-Anschlüsse, wenn der MOSFET vollständig eingeschaltet ist.
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