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step of selectively etching
Vertaling van "step of selectively etching" in Duits
Schritt des selektiven Ätzens
A method, as claimed in claim 1, further comprising: depositing a mask material (82) on said high-temperature oxide in the region of said resistor before said step of selectively etching said high-temperature oxide, to maintain a layer of high-temperature oxide over said resistor.
Verfahren nach Anspruch 1, ferner umfassend: Aufbringen eines Maskiermaterials (82) auf das Hochtemperaturoxid in der Region des Widerstands vor dem Schritt des selektiven Ätzens des Hochtemperaturoxids, um eine Schicht aus Hochtemperaturoxid über dem Widerstand beizubehalten.
The method according to any of claims 1 to 8 wherein said step of selectively etching comprises the steps of masking, exposing and selective etching in accordance with the characteristics of said photoresist material employed.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei in dem Schritt des selektiven Ätzens entsprechend den Eigenschaften des verwendeten Photoresistmaterials maskiert, belichtet und selektiv geätzt wird.
A method according to claim 17, which further comprises the step of selectively etching an active layer of the mesa, prior to step iv), so that the width of said active layer is less than the width of the mesa.
Verfahren nach Anspruch 17, welches außerdem das selektive Ätzen einer aktiven Schicht des Mesa vor Schritt iv) umfaßt, so daß die Breite der besagten aktiven Schicht geringer als die Breite des Mesa ist.
The method of any preceding claim, wherein said step of selectively etching said spin-on glass layer (15) comprises etching between 33 and 66 percent of the thickness of said spin-on glass layer.
Verfahren nach einem der voranstehenden Ansprüche, wobei der Schritt zum selektiven Ätzen der aufgeschleuderten Glasschicht (15) aufweist, daß zwischen 33 und 66% der Dicke der aufgeschleuderten Glasschicht geätzt werden.
The method of claim 24, wherein for transferring the pattern of the identifier there is provided the step of selectively etching away surface portions of the plate member (60) that are not covered with the patterned photoresist layer (61).
Verfahren nach Anspruch 24, wobei zum Übertragen des Musters der Kennung der Schritt des selektiven Wegätzens von Oberflächenabschnitten des Plattenelementes (60) vorhanden ist, die nicht mit der strukturierten Fotoresistschicht (61) abgedeckt sind.
The method of any of claims 3 to 10, wherein the second layer is partially ion beam etched prior to said step of selectively etching.
Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 10, wobei die zweite Schicht vor dem selektiven Ätzschritt teilweise ionenstrahlgeätzt wird.
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