Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
surface of said semiconductor substrate
Vertaling van "surface of said semiconductor substrate" in Duits
Oberfläche des Halbleitersubstrats
Oberfläche des Halbleitersubstrates
Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats
Hauptfläche des Halbleitersubstrats
An image sensor according to claim 1 or 2, wherein opposite conductivity type of impurities are implanted just below the surface of said semiconductor substrate (21).
Bildsensor nach Anspruch 1 oder 2, wobei entgegengesetzt leitende Störstellen direkt unter der Oberfläche des Halbleitersubstrats (21) eingepflanzt werden.
A method according to claim 2, characterized in that said fourth step includes an etching process for etching the second surface of said semiconductor substrate after said lapping process.
Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß der vierte Schritt einen Ätzprozeß zum Ätzen der zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats nach dem Schleifprozeß umfaßt.
A device according to claim 1, characterized in that first and second electrode layers (20, 21) are formed on a lower surface of said semiconductor substrate and on said second contact layer, respectively.
Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß erste und zweite Elektrodenschichten (20, 21) auf einer unteren Oberfläche des Halbleitersubstrates bzw. auf der zweiten Kontaktschicht gebildet sind.
A modulator as claimed in claim 1, wherein said second contact (39) is arranged at the surface of said semiconductor substrate (31) that is opposite said substrate surface on which the stack of semiconductor layers (33, 34) is grown.
Modulator nach Anspruch 1, bei welchem der zweite Kontakt (39) auf der Oberfläche des Halbleitersubstrates (31) angeordnet ist, die jener Substratoberfläche gegenüberliegt, auf welcher der Stapel von Halbleiterschichten (33, 34) durch Aufwachsen angebracht ist.
The method according to claim 1, 2 or 3, further comprising the step of: etching said two stripes of said dielectric layer in part facing each other to expose a surface of said semiconductor substrate after said step of growing a crystal.
Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, ferner mit dem Schritt eines Ätzens der beiden Streifen der dielektrischen Schicht, die teilweise gegenüberliegen, um eine Oberfläche des Halbleitersubstrats nach dem Schritt des Ziehens eines Kristalls freizulegen.
A method for developing a photoresist pattern according to claim 1 wherein: said surface of said semiconductor substrate (11) is heated to said predetermined temperature by heating a holder (12) on which said semiconductor substrate (11) is supported.
Verfahren zum Entwickeln eines Fotoresistmusters nach Anspruch 1, wobei: die Oberfläche des Halbleitersubstrats (11) durch Aufheizen eines Halters (12), auf dem das Halbleitersubstrat (11) getragen ist, auf die vorgegebene Temperatur aufgeheizt wird.
A method according to claim 1, characterized in that said light to be absorbed by O₃ is directed substantially parallel to said surface of said semiconductor substrate.
Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das durch das O₃ zu absorbierende Licht im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgerichtet wird.
The bump electrode structure as claimed in claim 1, characterized in that said concave portion has a depth which is the same as or larger than its width at the surface of said semiconductor substrate.
Höckerelektrodenstruktur nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der konkave Abschnitt eine Tiefe besitzt, die gleich groß wie oder größer als seine Breite an der Oberfläche des Halbleitersubstrats ist.
A method of fabricating a trench for a trench cell capacitor according to claim 3, wherein field oxide layers are selectively formed on or near the center of said loop-shaped second trench and on said surface of said semiconductor substrate between adjacent second trenches.
Verfahren zum Herstellen eines Grabens in einem Halbleitersubstrat für einen Grabenzellenkondensator nach Anspruch 3, wobei Feldoxydschichten selektiv auf oder nahe dem Mittelpunkt des schleifenförmigen zweiten Grabens auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats zwischen aneinandergrenzenden zweiten Gräben gebildet werden.
A solid state imager device as claimed in claim 2, wherein a part of said well region faces a surface of said semiconductor substrate (21) between said charge transfer section (25) and said light receiving section (26).
Festkörper-Bilderzeugungseinrichtung nach Anspruch 2, bei der ein Teil des Senkenbereichs einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (21) zwischen dem Ladungsübertragungsabschnitt (25) und dem lichtempfangenden Abschnitt (26) gegenüberliegt.
A method of producing a semiconductor device which comprises steps of: producing a semiconductor substrate (110,102-104) by performing the method of any of claims 1 to 38; and producing a semiconductor element at the surface of said semiconductor substrate.
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das folgende Schritte aufweist: Herstellung eines Halbleitersubstrat (110,102 - 104), indem das Verfahren nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 38 durchgeführt wird; und Herstellung eines Halbleiterelements auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats.
An LC element according to any one of the claims 1 to 7, comprising an insulation film on the surface of said semiconductor substrate, portions of this insulation film having perforations which are closed by solder protruding slightly above the surface of the insulating film.
LC Element nach einem der Ansprüche 1 bis 7, mit einem isolierenden Film auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wobei Teile des isolierenden Films Perforationen aufweisen, die durch Lötmittel verschlossen sind, das geringfügig über die Oberfläche des isolierenden Films vorsteht.
An LC element according any one of the claims 1 - 22, wherein carriers are injected beforehand at a position corresponding to said first electrode (10) near the surface of said semiconductor substrate (30).
LC-Element nach einem der Ansprüche 1 - 22, bei dem Ladungsträger zuvor in einer Position, die der ersten Elektrode (10) nahe der Oberfläche des Halbleitersubstrates (30) entspricht, injiziert werden.
Ga naar Premium voor toegang tot miljoenen vertaalvoorbeelden, onbeperkt woorden opslaan en leren, zonder advertenties.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 27. Exact: 27. Verstreken tijd: 56 ms.
