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Schaltverstärkern
Initially, by means of theoretical considerations and simulations the relevant characteristics of the two modulation techniques for the application in switch mode amplifiers were determined.
Es wurden zunächst mit Hilfe theoretischer Überlegungen und Simulationen die für den Einsatz in Schaltverstärkern maßgeblichen Eigenschaften der beiden Modulationsverfahren bestimmt.
Compared to conventional pulse length modulation, the bandpass pulse length modulation is characterized by a particularly high coding efficiency, which makes it advantageous for the control of switch mode amplifiers.
Im Vergleich zur konventionellen Pulslängenmodulation zeichnet sich die Bandpass-Pulslängenmodulation durch eine besonders hohe Kodiereffizienz aus, weshalb sie sich für die Ansteuerung von Schaltverstärkern als vorteilhaft erweist.
Within the last decade the group gained excellent expertise in channel measurements, in antenna design, and in advanced transceiver technologies like switch mode amplifiers and full duplex transmission.
In den letzten zehn Jahren hat die Gruppe herausragende Kompetenzen in den Bereichen Kanalmessung, Antennendesign und moderne Transceiver-Technologien, wie z.B. Schaltverstärker und Vollduplexübertragung, erlangt.
In the present work, with the examples of the conventional pulse length modulation and bandpass pulse length modulation, techniques for the control of switch mode amplifiers have been investigated which are suitable for efficient power amplification of high-frequency signals with variable envelope.
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden am Beispiel der konventionellen Pulslängenmodulation, sowie der Bandpass-Pulslängenmodulation Verfahren zur Ansteuerung von Schaltverstärkern untersucht, die sich zur effizienten Leistungsverstärkung von Hochfrequenzsignalen mit variabler Einhüllenden eignen.
Translated title: Use of suitable methods of pulse length modulation for the control of RF switch mode amplifiers (English)
Hartmann, Christian: Einsatz von geeigneten Verfahren der Pulslängenmodulation zur Ansteuerung von Hochfrequenz-Schaltverstärkern.
Novel GaN based HEMT with reverse blocking capability for Class S switch mode amplifiers is introduced. The high voltage protection is achieved by introducing recessed Schottky contact as a drain electrode.
Für Schaltverstärker im S Klassenbetrieb wurde ein neuartiger GaN HEMT entwickelt, dessen rückwärtiges Sperrverhalten durch einen tiefgelegten Schottkykontakt als Drainelektrode hervorgerufen wird.
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