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the array of memory cells
Vertaling van "the array of memory cells" in Duits
das Array von Speicherzellen
das Feld von Speicherzellen
des Arrays von Speicherzellen
die Anordnung von Speicherzellen
A frame buffer as claimed in claim 1 in which the array of memory cells is arranged in a plurality of planes, and further comprising circuitry for selecting any of the plurality of planes for accessing.
Ein Einzelbildpuffer nach Anspruch 1, bei welchem das Array von Speicherzellen in einer Mehrzahl von Ebenen angeordnet ist und der ferner eine Schaltung zum Auswählen irgendeiner der mehreren Ebenen für einen Zugriff aufweist.
The electrically programmable memory device of any of claims 18 to 20, wherein the array of memory cells is divided into a plurality of blocks of memory cells, blocks in the plurality of blocks being independently selectable.
Elektrisch programmierbare Speichereinrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei das Array von Speicherzellen in eine Mehrzahl von Speicherzellen aufgeteilt ist, wobei Blöcke in der Mehrzahl von Blöcken unabhängig auswählbar sind.
The memory of claim 13 wherein the array of memory cells (110) is configured in 64 addressable rows and 16 addressable columns.
Speicher nach Anspruch 13, wobei das Array von Speicherzellen (110) in 64 adressierbaren Reihen und 16 adressierbaren Spalten konfiguriert ist.
The memory device of claim 14 wherein the array of memory cells includes nonvolatile memory cells comprising floating gate field effect transistors.
Das Speicherbauelement nach Anspruch 14, wobei das Array von Speicherzellen nicht-flüchtige Speicherzellen enthält, die Floating-Gate-Feldeffekttransistoren aufweisen.
The memory (400) of claim 1 wherein the array of memory cells is a flash EEPROM array.
Speicher (400) nach Anspruch 1, wobei das Array von Speicherzellen ein Flash-EEPROM-Array ist.
The integrated circuit of any preceding claim, wherein each of the serial ports is bidirectional, capable of both reading from and writing to the array of memory cells.
Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei jeder der seriellen Anschlüsse bidirektional ist, fähig sowohl aus dem Feld von Speicherzellen zu lesen, als auch darin zu schreiben.
A device according to any preceding claim, in which the array of memory cells is a matrix of M rows and N columns of memory cells.
Schaltung nach einem vorhergehenden Anspruch, in welcher das Feld von Speicherzellen eine Matrix von M Reihen und N Spalten von Speicherzellen ist.
The method of claim 6 wherein said stress voltage is applied to only a selected portion of the array of memory cells.
Verfahren nach Anspruch 6, wobei die Streß- bzw. Belastungsspannung nur an einen ausgewählten Abschnitt bzw. Teil der Anordnung der Speicherzellen angelegt wird.
The method of claim 1 wherein the step of activating each row select line sequentially occurs upon commands received from a computer to which the array of memory cells is coupled.
Das Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt der Aktivierung jeder Zeilenauswählleitung sequentiell auf Befehle erfolgt, empfangen von einem Computer, an den die Speicherzellenmatrix angekoppelt ist.
The semiconductor memory according to claim 9 or 10, in which the array of memory cells includes a plurality of logical memory sectors, each logical memory sector being formed by word lines of a same word line group.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 9 oder 10, bei dem das Feld von Speicherzellen eine Mehrzahl von logischen Speichersektoren aufweist, wobei jeder logische Speichersektor durch Wortleitungen einer selben Wortleitungsgruppe gebildet ist.
An apparatus for testing according to claim 18 wherein the integrated circuits each include an array of memory cells and wherein the means for repeating includes a means for identifying at least one failed memory cell in the array of memory cells for each identified integrated circuit.
Vorrichtung zum Testen nach Anspruch 18, bei der die integrierten Schaltungen jeweils eine Reihe von Speicherzellen aufweisen, und bei der die Einrichtung zum Wiederholen eine Einrichtung zum Identifizieren wenigstens einer fehlerhaften Speicherzelle in der Reihe von Speicherzellen für jede identifizierte integrierte Schaltung aufweist.
The integrated circuit memory of any preceding claim, wherein the array of memory cells includes a plurality of sectors, and the resources to apply the second bias potential are coupled to the plurality of sectors, and enabled on a sector by sector basis.
Integrierter Speicherschaltkreis nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei das Array aus Speicherzellen eine Mehrzahl von Sektoren umfaßt und die Hilfsmittel für das Anlegen des zweiten Vorspannpotentials mit der Mehrzahl von Sektoren verbunden sind und sektorweise freischaltbar sind.
The semiconductor memory according to claim 9, in which the array of memory cells includes dummy word lines (WLd1-WLd(p-1)) of memory cells, at least one dummy word line being inserted between adjacent word line groups.
Halbleiterspeicher nach Anspruch 9, bei dem das Feld von Speicherzellen Dummy-Wortleitungen (WLd1-WLd(p-1)) von Speicherzellen aufweist, wobei wenigstens eine Dummy-Wortleitung zwischen benachbarte Wortleitungsgruppen eingefügt ist.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
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