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A method as claimed in claim 1 wherein said reading step is performed while driving the word line to substantially the array VDD voltage.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Lese-Schritt durchgeführt wird, während die Wortleitung im wesentlichen auf die Array-VDD-Spannung gesteuert wird.
A method as claimed in claim 5 wherein: the voltage to which the word line is driven during the writing steps, which is less than the array VDD voltage, is less than a voltage used for powering memory array column read/write circuitry.
Verfahren nach Anspruch 5, bei dem: die unterhalb der Array-VDD-Spannung liegende Spannung, bei der die Wortleitung während der Schreib-Schritte betrieben wird, niedriger ist als eine Spannung, die zur Versorgung einer Schaltung zum Lesen/Schreiben von Speicher-Array-Spalten verwendet wird.
A method as claimed in claim 1 wherein said powering step includes: initializing the array VDD node to a voltage equal to ground; and ramping the voltage of the array VDD node from ground up to the array VDD voltage.
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