Gesproken tekst vertalen, offlinefuncties, synoniemen, vervoegingen, educatieve spelletjes
Publiciteit
Registreer gratis: toegang tot meer resultaten en functies
the dry etching method
Vertaling van "the dry etching method" in Duits
Trockenätzverfahren
The dry etching method as defined in claim 1, wherein one or more rare gases are added to said etching gas.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, bei dem zum Ätzgas ein Edelgas oder mehrere zugesetzt werden.
The dry etching method as claimed in any of claims 1-3, wherein said nitrogen based compound film is an anti-reflection film.
Trockenätzverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welchem der stickstoffbasierte Verbindungsfilm ein Antireflexionsfilm ist.
The dry etching method as claimed in claim 9 or claim 11, wherein said etching is carried out by using a nitrogen containing material pattern as a mask.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 9 oder 11, wobei das Ätzen unter Verwendung einer Maske aus einem strukturierten stickstoffhaltigen Material durchgeführt wird.
The dry etching method as claimed in claim 1, wherein the sidewall protection film (8a) is formed by using at least one of sulfur based compound and sulfur nitride based compound.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Seitenwandschutzfilm (8a) unter Verwendung von mindestens einem von einer schwefelbasierten Verbindung und einer schwefelnitridbasierten Verbindung gebildet wird.
The dry etching method as claimed in claim 1, wherein the sidewall protection film (8a) is formed after the antireflection film (6) is patterned using the mask layer (7).
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Seitenwandschutzfilm (8a) gebildet wird, nachdem der Antireflexionsfilm (6) unter Verwendung der Maskenschicht (7) strukturiert wurde.
The dry etching method as claimed in claim 1, wherein the conductive material layer (4) is formed on a semiconductor substrate (1) having an insulating film (2) formed on a surface thereof.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, bei welchem die leitfähige Materialschicht (4) auf einem Halbleitersubstrat (1) gebildet wird, auf dessen Oberfläche ein isolierender Film (2) gebildet ist.
The dry etching method as claimed in claim 1, wherein said etching gas contains a mixed gasified product of S 2 Cl 2 and S 2 Br 2.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, wobei das Ätzgas ein Gemisch eines gasförmigen Produkts aus S 2 Cl 2 und S 2 Br 2 enthält.
The dry etching method as claimed in claim 1, wherein the antireflection film (6) is composed of an SiON based material.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1, bei welchem der Antireflexionsfilm (6) aus einem SiON-basierten Material zusammengesetzt ist.
The dry etching method as defined in claims 8, 10 or 13, wherein the incident ion energy in said plasma is set so as to be smaller in said overetching step than that in said just-etching step.
Trockenätzverfahren nach einem der Ansprüche 8, 10 oder 13, bei dem die Energie auftreffender Ionen im Plasma im Überätzschritt kleiner als im Gerade-so-Ätzschritt eingestellt wird.
The dry etching method as claimed in claim 1 or claim 3, wherein said refractory metal silicide layer is selected from the group consisting of a tungsten silicide layer, a titanium silicide layer, a molybdenum silicide layer, and a tantalum silicide layer.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1 oder 3, wobei die Schicht aus dem hitzebeständigen Metallsilicid ausgewählt ist aus der Gruppe, welche besteht aus einer Wolframsilicidschicht, einer Titansilicidschicht, einer Molybdänsilicidschicht sowie einer Tantalsilicidschicht.
The dry etching method as claimed in claim 1 or claim 3, wherein said etching is carried out by using a titanium nitride based anti-reflection film pattern as a mask, while depositing sulfur nitride based compounds on a surface of said titanium nitride based anti-reflection film pattern.
Trockenätzverfahren nach Anspruch 1 oder 3, wobei das Ätzen unter Verwendung einer Maske durchgeführt wird, welche aus einem strukturierten Anti-Reflexfilm aus einem Titannitrid besteht, wobei die schwefelnitridhaltigen Verbindungen auf einer Oberfläche des strukturierten Anti-Reflexfilms aus Titannitrid abgeschieden werden.
The dry etching method as claimed in any of claims 1-3, wherein said target material layer is a W polycide film formed on a single-crystal silicon substrate with an interposition of a gate oxide film and said nitrogen based compound film is a TiON anti-reflection film.
Trockenätzverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei welchem die Targetmaterialschicht ein W-Polyzidfilm ist, der auf einem Einkristallsiliziumsubstrat unter Zwischensetzung eines Gateoxidfilms gebildet ist, und der stickstoffbasierte Verbindungsfilm ein TiON-Antireflexionsfilm ist.
Ga naar Premium voor toegang tot miljoenen vertaalvoorbeelden, onbeperkt woorden opslaan en leren, zonder advertenties.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
Resultaten: 12. Exact: 12. Verstreken tijd: 43 ms.
