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der Ätzprozess
des Ätzverfahrens
Ätzverfahren
der Ätzung
The method of claim 37, wherein the etch process is a reactive ion etch process.
Verfahren nach Anspruch 37, wobei der Ätzprozess ein Ätzprozess mit reaktiven Ionen ist.
The etch process must be sufficiently slow to discriminate between the irradiated and the pristine material.
Der Ätzprozess muss hinreichend langsam sein um zwischen dem bestrahlten und unbestrahlten Material zu unterscheiden.
A process as claimed in any of the preceding claims, characterised in that the silicon surface is cooled during the etch process to enable relatively high power densities to be applied to control etching rate and profile.
Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß die Siliciumoberfläche während des Ätzverfahrens gekühlt wird, damit relativ hohe Energiedichten aufgebracht werden können, um Ätzgeschwindigkeit und -profil zu steuern.
A process as claimed in claim 5, characterised in that said magnetic field is rotated to improve the uniformity of the etch process.
Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet , daß das Magnetfeld gedreht wird, um die Gleichmäßigkeit des Ätzverfahrens zu erhöhen.
The etch process can be wet or dry e.g. RIE.
Der Ätzprozeß kann naß oder trocken sein, z. B. RIE.
To control the etch process, the solid is allowed to expand to a set pressure in an expansion chamber.
Um den Ätzungsprozeß zu steuern, wird der Körper zu einem Setdruck in einem Ausdehnungsgefäß erweitern lassen.
Critical factors for the etch process are etching a variety of materials within the same chamber, being able to use both conventional and special techniques for deep silicon etching, and maintaining excellent profile control and across-wafer uniformity.
Kritische Faktoren des Ätzprozesses sind das Ätzen unterschiedlicher Materialien innerhalb einer Kammer, die Fähigkeit zur Anwendung herkömmlicher und spezialisierter Techniken für die Tiefenätzung von Silizium und die möglichst gute Profilkontrolle sowie Einheitlichkeit von Wafer zu Wafer.
The uniformity of the etch process depends on the gases, the distance of the two electrodes and on the material the electrodes are made off.
Die Homogenität der Ätzung wird von den Gasen, dem Elektrodenabstand und dem Elektrodenmaterial bestimmt.
Due to decreasing feature sizes, the etch process requires atomic-level control not only for each feature, but also across the entire wafer.
Wegen der immer geringeren Strukturgrößen müssen die Ätzverfahren auf atomarer Ebene gesteuert werden, nicht nur auf die einzelnen Struktureinheiten bezogen, sondern auf dem gesamten Wafer.
The chemical part of the etch process is done by the reaction of free redicals with the surface and also with the physical milled out material in such a way that it can not re-deposit onto the wafer or the chamber walls as in ion beam etching.
Der chemische Anteil der Ätzung geschieht durch die Reaktion von freien Radikalen auf der Scheibenoberfläche und mit dem physikalisch abgetragenen Material, so dass sich dieses nicht wie beim Ionenstrahlätzen an den Kammerwänden oder auf den Scheiben anlagern kann.
The etch process of claim 8 wherein said defining step comprises depositing photoresist over areas of said top thin film layer which are not to be etched, said photoresist comprising a material which is resistant to attack by said etchant species.
Ätzverfahren nach Anspruch 8, wobei der Definitionsschritt die Abscheidung von Photoresist auf Flächen der oberen Dünnfilmschicht umfaßt, die nicht zu ätzen sind, wobei das Photoresist ein Material umfaßt, das gegenüber einem Angriff durch die Ätzmittelarten beständig ist.
The etch process according to any one of the preceding claims wherein said applying and introducing steps are preceded by a step of preliminarily defining features on a top thin film layer of said work piece to be etched.
Ätzverfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei den Anlegungs- und Einleitungsschritten ein Schritt der vorbereitenden Definition von Merkmalen auf einer oberen Dünnfilmschicht des zu ätzenden Werkstückes vorangeht.
The etch process used is not critical and dry etch techniques can be used as well.
Der eingesetzte Ätzprozeß ist nicht kritisch, und es können auch Trockenätztechniken verwendet werden.
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