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the first cladding layer
Vertaling van "the first cladding layer" in Duits
der ersten Mantelschicht
die erste Mantelschicht
The fiber laser of claim 1 in which the difference between the refractive index of the core and the refractive index of the first cladding layer is less than 0.0072.
Faserlaser gemäß Anspruch 1, wobei der Unterschied zwischen dem Brechungsindex des Kerns und dem Brechungsindex der ersten Mantelschicht kleiner als 0,0072 ist.
A device (11, 21) according to the claim 1 in which the conductive type of the lattice mismatched cladding layer (17, 30) is p type and the conductive type of the first cladding layer (15, 28) is n type.
Vorrichtung (11, 21) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leitfähigkeitstyp der gitterfehlangepaßten Mantelschicht (17, 30) ein p-Typ ist, und der Leitfähigkeitstyp der ersten Mantelschicht (15, 28) ein n-Typ ist.
The method of any of claims 32 to 36 wherein the method begins by providing a substrate (36) onto which is grown the first cladding layer (28), core layer (30) and second cladding layer (32).
Verfahren nach einem der Ansprüche 32 bis 36, wobei das Verfahren durch Bereitstellen eines Substrats (36) beginnt, auf dem die erste Mantelschicht (28), die Kernschicht (30) und die zweite Mantelschicht (32) gezüchtet werden.
The fiber laser of claim 1 in which the first cladding layer consists essentially of at least 85% SiO 2.
Faserlaser gemäß Anspruch 1, wobei die erste Mantelschicht im wesentlichen aus zumindest 85% SiO 2 besteht.
A multi core optical fiber according to claim 1, wherein the absorption coefficient of the second cladding layer (6) is larger than that of the first cladding layer (5).
Optische Multikernfaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Absorptionskoeffizient der zweiten Mantelschicht (6) größer ist als derjenige der ersten Mantelschicht (5).
The laser structure (100) of one of claims 1 to 3, further comprising: a substrate (10) located below the first cladding layer (20).
Laserstruktur (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit dem weiteren Merkmal: ein Substrat (10), das unter der ersten Mantelschicht (20) liegt.
The device of claim 11 in which the substrate comprises GaAs, the first cladding layer and beam control layer comprises n-type AlGaAs, and the second cladding layer comprises p-doped AlGaAs.
Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei das Substrat GaAs umfasst, die erste Mantelschicht und die Strahlführungsschicht AlGaAs von n-Typ umfassen und die zweite Mantelschicht p-dotiertes AlGaAs umfasst.
The device of any preceding claim further comprising a substrate, the first cladding layer being a layer most proximal to the substrate, the beam control layer being provided within the first cladding layer.
Vorrichtung nach einem der vorherigen Ansprüche, die ferner ein Substrat umfasst, wobei die erste Mantelschicht eine Schicht ist, die dem Substrat am nächsten liegt, wobei die Strahlführungsschicht innerhalb der ersten Mantelschicht bereitgestellt ist.
An inverted channel substrate planar semiconductor laser as defined in claim 1, wherein: the substrate, the first cladding layer, and the blocking layer are of n type material; and the second cladding layer is of p type material.
Halbleiterlaser mit umgekehrtem Kanal und ebenem Substrat gemäß Anspruch 1, wobei das Substrat, die erste Überzugsschicht und die Blockierschicht aus einem Material vom n-Typ sind und die zweite Überzugsschicht aus einem Material vom p-Typ.
A vertical cavity surface emitting laser as claimed in claim 3 wherein the first cladding layer (26) is further characterized by being graded to lattice couple the active layer (25) with the first mirror stack (14).
Flächenemissionslaser mit vertikalem Hohlraum nach Anspruch 3, wobei die erste Hüllschicht (26) ferner dadurch gekennzeichnet ist, daß sie stufenweise gebildet ist, um eine Gitterkopplung der aktiven Schicht (25) mit dem ersten Spiegelstapel (14) herzustellen.
The method of claim 22 or claim 23 in which the first cladding layer (210), optically active layer (205) and second cladding layer (215) are grown by a technique selected from molecular beam epitaxy and metal organic chemical vapour deposition.
Verfahren nach Anspruch 22 oder 23, wobei die erste Hüllschicht (210), die optisch aktive Schicht (205) und die zweite Hüllschicht (215) entweder durch das Molekülstrahlepitaxieverfahren oder das metallorganische chemische Aufdampfungsverfahren gebildet werden.
A semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the energy difference of the conduction bands of the active layer (70) and the first cladding layer (40) 0.3 eV or more.
Lichtemittierende Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Energiedifferenz der Leitungsbänder der aktiven Schicht (70) und der ersten Deckschicht (40) 0,3 eV oder mehr ist.
The method of claim 2 wherein the substrate is silicon and the first cladding layer comprises thermally grown SiO 2 The method of claim 3 in which the first and second core layers comprise doped silica.
Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Substrat Silizium ist und die erste Claddingschicht ein thermisch aufgewachsenes SiO 2 umfaßt. Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die erste und zweite Kernschicht dotiertes Siliziumoxid umfassen.
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