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the first memory cell
Vertaling van "the first memory cell" in Duits
der ersten Speicherzelle
die erste Speicherzelle
The writing method for a magnetic memory according to claim 33, further comprising terminating the second magnetic field when the magnetization of the first memory cell has been through (n + 1/2) precession cycles, where n is the number of precession cycles.
Schreibverfahren für einen Magnetspeicher nach Anspruch 33, ferner umfassend Beenden des zweiten Magnetfelds, wenn die Magnetisierung der ersten Speicherzelle (n + 1/2) Präzessionszyklen durchlaufen hat, wobei n die Anzahl der Präzessionszyklen ist.
Method according to one of claims 5 to 9, characterized in that, when one of the processing processes (90 to 94) ends, the name data item currently stored in the first memory cell (58) is erased.
Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß beim Beenden eines der Bearbeitungsprozesse (90 bis 94) das in der ersten Speicherzelle (58) momentan gespeicherte Namensdatum gelöscht wird.
A memory circuit according to claim 1, wherein the first memory cell comprises a first static random access memory (SRAM) cell and wherein the second memory cell comprises a second static random access memory (SRAM) cell.
Speicherschaltung gemäß Anspruch 1, wobei die erste Speicherzelle eine erste Statische-Random-Access-Memory- (SRAM-) Zelle umfaßt und wobei die zweite Speicherzelle eine zweite Statische-Random-Access-Memory- (SRAM-) Zelle umfaßt.
A method as claimed in claim 9, characterized in that the floating gate and the third doping step are defined prior to defining the floating gate of the first memory cell and the gate of the high-voltage transistor.
Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet , dass das Floating-Gate und die dritte Dotierungsstufe vor Ausbildung des Floating-Gates der ersten Speicherzelle und des Gates des Hochspannungstransistors definiert werden.
The method of Claim 18, in which the data is stored in the second memory cell (e.g. M2)without being inverted from how it was stored in the first memory cell (e.g. M1).
Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die Daten in der zweiten Speicherzelle (z. B. M2) gespeichert werden, ohne dass sie von wie sie in der ersten Speicherzelle (z. B. M1) gespeichert waren, invertiert werden.
Thus, the first interconnect level, above the first interconnect level, the second memory cell plane and above the second conductor track plane, for example arranged above the layer stacks of the first memory cell plane.
Somit ist beispielsweise über den Schichtenstapeln der ersten Speicherzellenebene die erste Leiterbahnebene, über der ersten Leiterbahnebene die zweite Speicherzellenebene und darüber die zweite Leiterbahnebene angeordnet.
Memory according to Claim 5, characterised in that it is organised in a matrix in rows and columns, each row connecting the memory cell gates, each column connecting the first memory cell diffusions, the second memory cell diffusions being connected to the same potential.
Speicher nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß er matrixförmig in Zeilen und Spalten unterteilt ist, wobei jede Zeile die Gates der Speicherzellen verbindet, jede Spalte die ersten Diffusionen der Speicherzellen verbindet und die zweiten Diffusionen der Speicherzellen auf dem gleichen Potential liegen.
A structure as in claim 1, wherein the first memory cell (322) is a first MRAM device.
Eine Struktur gemäß Anspruch 1, bei der die erste Speicherzelle (322) eine erste MRAM-Vorrichtung ist.
Furthermore, a further interconnect layer is disposed below the first memory cell plane.
Ferner ist eine weitere Leiterbahnebene unterhalb der ersten Speicherzellenebene angeordnet.
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