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The first tests were very disappointing, because the card only showed acceptable write performance during the first write cycle.
Die ersten Testergebnisse waren sehr enttäuschend, denn die Karte hat nur beim allerersten Schreibvorgang eine annehmbare Performance gezeigt.
A printer in accordance with claim 48, wherein the first write complete information and the second write complete information are flags.
Drucker nach Anspruch 48, wobei die erste "Schreiben beendet"-Information und die zweite "Schreiben beendet"-Information Flags sind.
The video memory (30) according to claim 5,6 wherein all bits of the first write data are "1".
Der Videospeicher (30) nach Anspruch 5, 6, in dem alle Bits der ersten Schreibdaten "1" sind.
A nonvolatile semiconductor memory operating method according to claim 11 or 12, wherein the first step to the tenth step are executed in inspection steps, and the first write deciding condition and the second write deciding condition are set by an external inspection equipment (91).
Ein Betriebsverfahren für einen nicht-flüchtigen Halbleiterspeicher nach Anspruch 11 oder 12, wobei der erste Schritt bis zu dem zehnten Schritt in Inspektionsschritten ausgeführt werden, und die erste Schreibentscheidungsbedingung und die zweite Schreibentscheidungsbedingung durch ein externes Inspektionsgerät (91) eingestellt werden.
The memory (200) of claim 2, wherein the first write word line (232) has a first end coupled to a positive power supply terminal and a second end coupled to a word write driver (250).
Speicher (200) gemäß Anspruch 2, wobei die erste Schreibwortleitung (232) über ein an einen positiven Stromversorgungsanschluss gekoppeltes erstes Ende und ein an einen Wortschreibtreiber (250) gekoppeltes zweites Ende verfügt.
The tape cassette as set forth in claim 1, wherein the discrimination holes constituting the first write protect mechanism are opened in ordinary state.
The method of Claim 11, further comprising driving the first write data value and the first ECC value to the memory array (101) by enabling tri-state buffers during the second write access.
Verfahren nach Anspruch 11, das ferner das Übertragen des ersten Schreibdatenwertes und des ersten ECC-Wertes zur Speicherarray (101) durch Freigeben von Tristate-Puffern beim zweiten Schreibzugriff umfasst.
first write - Time at which the first write occured
The method of Claim 11, further comprising outputting the first write data value and the first ECC value if a read address of a read access matches the first write address value stored in the first register (200) of the write buffer.
Verfahren nach Anspruch 11, das ferner das Ausgeben des ersten Schreibdatenwertes und des ersten ECC-Wertes umfasst, wenn eine Leseadresse eines Lesezugriffs mit dem im ersten Register (200) des Schreibpuffers gespeicherten ersten Schreibadresswert übereinstimmt.
The memory cell of any preceding claim, wherein the first write only pass transistor has 0.5 times or larger width than the first pass transistor and the second write only pass transistor has 0.5 times or larger width than the second pass transistor.
Speicherzelle nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Breite des ersten Nurschreib-Durchlaßtransistors wenigstens das 0,5Fache der Breite des ersten Durchlaßtransistors beträgt und die Breite des zweiten Nurschreib-Durchlaßtransistors wenigstens das 0,5Fache der Breite des zweiten Durchlaßtransistors beträgt.
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