Vertaling van "the hexagonal boron nitride" in Duits
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das hexagonale Bornitrid
des hexagonalen Bornitrids
die hexagonale Bornitridschicht
In the literature the hexagonal boron nitride is often called "white graphite", since it has a structure which is very similar to graphite.
In der Literatur wird das hexagonale Bornitrid oft als "weißer Graphit" bezeichnet, da es eine dem Graphit sehr ähnliche Struktur aufweist.
A composition comprising hexagonal boron nitride having coated thereon an agent capable of preventing oxidation of the surface of the hexagonal boron nitride.
Zusammensetzung, umfassend hexagonales Bornitrid, das mit einem Mittel überzogen ist, das die Oxidation der Oberfläche des hexagonalen Bornitrids zu verhindern in der Lage ist.
The invention relates to boron nitride agglomerates, comprising hexagonal boron nitride primary particles, wherein the hexagonal boron nitride primary particles are connected to one another by means of an inorganic binding phase comprising at least one nitride and/or oxynitride.
Gegenstand der Erfindung sind Bornitrid-Agglomerate, umfassend hexagonale Bornitrid- Primärpartikel, wobei die hexagonalen Bornitrid-Primärpartikel miteinander mittels einer anorganischen Bindephase, welche wenigstens ein Nitrid und/oder Oxinitrid umfasst, verbunden sind.
A method as claimed in claim 23 or 24, in which the hexagonal boron nitride is uniformly distributed throughout the coating.
Verfahren nach Anspruch 23 oder Anspruch 24, bei dem das hexagonale Bornitrid gleichmäßig in der Beschichtung verteilt ist.
The process of claim 1, wherein the hexagonal boron nitride particles utilized in said reaction mixture are sieved to a desired size in the range of 10-5000 µm prior to conversion.
Verfahren nach Anspruch 1, worin die in der Reaktionsmischung eingesetzten Teilchen hexagonalen Bornitrids vor der Umwandlung zu einer erwünschten Größe im Bereich von 10-5.000 µm gesiebt werden.
A hexagonal boron nitride film according to claim 1 wherein the hexagonal boron nitride film has a specific inductance of 3.0 or less.
Hexagonale Bornitridschicht gemäss Anspruch 1, worin die hexagonale Bornitridschicht eine spezifische Induktivität von 3,0 oder weniger aufweist.
The layer dielectric film according to claim 4 wherein the hexagonal boron nitride contains 40 mol% or less of amorphous boron nitride, 40 mol% or less of cubic boron nitride or 40 mol% or less of amorphous boron nitride and cubic boron nitride.
Dielektrische Schichtlage gemäß Anspruch 4, worin das hexagonale Bornitrid 40 mol-% oder weniger amorphes Bornitrid, 40 mol-% oder weniger kubisches Bornitrid oder 40 mol-% oder weniger amorphes Bornitrid und kubisches Bornitrid enthält.
A hexagonal boron nitride film according to claim 1 wherein the hexagonal boron nitride film has a specific inductance of 3.0 or less.
Hexagonale Bornitridschicht gemäß Anspruch 1, worin die hexagonale Bornitridschicht eine spezifische Induktivität von 3,0 oder weniger aufweist.
The process of claim 6, wherein the hexagonal boron nitride particles which are sieved are obtained by pre-pressing hexagonal boron nitride powder to form a billet and milling said billet to provide said hexagonal boron nitride particles.
Verfahren nach Anspruch 6, worin die gesiebten Teilchen hexagonalen Bornitrids erhalten werden durch Vorpressen von Pulver hexagonalen Bornitrids zur Bildung eines Barrens und Mahlen des Barrens zur Schaffung der Teilchen hexagonalen Bornitrids.
The process of claim 1, wherein the cubic boron nitride particles recovered have a smaller average particle size than the hexagonal boron nitride within the mixture and a particle size distribution which conforms to the particle size distribution of the hexagonal boron nitride within the mixture.
Verfahren nach Anspruch 1, worin die gewonnenen Teilchen aus kubischem Bornitrid eine geringere mittlere Teilchengröße als das hexagonale Bornitrid innerhalb der Mischung und eine Teilchengrößen-Verteilung haben, die an die Teilchengrößen-Verteilung des hexagonalen Bornitrids innerhalb der Mischung angepaßt ist.
The layer dielectric film according to claim 4 wherein the hexagonal boron nitride contains 40 mol% or less of amorphous boron nitride, 40 mol% or less of cubic boron nitride or 40 mol% or less of amorphous boron nitride and cubic boron nitride.
Dielektrische Schichtlage gemäss Anspruch 4, worin das hexagonale Bornitrid 40 mol-% oder weniger amorphes Bornitrid, 40 mol-% oder weniger kubisches Bornitrid oder 40 mol-% oder weniger amorphes Bornitrid und kubisches Bornitrid enthält.
The composition of Claim 26 wherein the interparticle bonding agent capable of preventing oxidation of the surface of the hexagonal boron nitride is a metal, metal nitride, metal boride or metal carbide capable of being deposited by chemical vapor deposition.
Zusammensetzung nach Anspruch 26, worin das Mittel zum Verbinden der Teilchen, das zum Verhindern der Oxidation der Oberfläche des hexagonalen Bornitrids in der Lage ist, ein Metall, Metallnitrid, Metallborid oder Metallcarbid ist, das durch chemisches Aufdampfen aufgebracht werden kann.
The process of Claim 1, wherein the hexagonal boron nitride particles having an oxide-free surface are coated with an agent capable of preventing re-oxidation of the surface of the hexagonal boron nitride particles by chemical vapor deposition.
Verfahren nach Anspruch 1, worin die Teilchen aus hexagonalem Bornitrid mit einer oxidfreien Oberfläche mit einem Mittel durch chemisches Aufdampfen überzogen werden, das die erneute Oxidation der Oberfläche der Teilchen aus hexagonalem Bornitrid zu verhindern in der Lage ist.
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