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the method for programming
Vertaling van "the method for programming" in Duits
Verfahren zum Programmieren
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the second voltage potential is a ground potential.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, wobei das zweite Spannungspotential ein Erdpotential ist.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the dielectric layer (17) of the non-volatile memory cell is greater than 300 angstroms thick.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, bei dem die dielektrische Schicht (17) der nicht flüchtigen Speicherzelle eine Dicke von mehr als 300 Å aufweist.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 further comprising the step of placing a fifth voltage potential on the semiconductor substrate (10).
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, welches weiterhin den Schritt des Anlegens eines fünften Spannungspotentials an das Halbleitersubstrat (10) umfasst.
The method for programming the non-volatile memory cell (13) of claim 1 wherein the fourth voltage potential on the control gate region (21) also directs at least some electrons from the flow of electrons provided by the third voltage potential.
Verfahren zum Programmieren der nicht flüchtigen Speicherzelle (13) nach Anspruch 1, wobei das vierte Spannungspotential an dem Steuerungsgategebiet (21) auch wenigstens einige Elektronen von dem Fluss von Elektronen richtet, der von dem dritten Spannungspotential zur Verfügung gestellt wird.
The method for programming a multi-level threshold memory cell device according to claim 17, wherein the means for tracking and compensating the gate voltage includes a mini-array in the device.
Verfahren zum Programmieren einer Speicherzelleneinrichtung mit Schwellwerten auf mehreren Niveaus nach Anspruch 17, wobei die Einrichtungen zum Verfolgen und Kompensieren der Gate-Spannung ein Mini-Array in der Einrichtung umfassen.
The method for programming an array of floating gate cells of claim 13, wherein each of said plurality of subwords of memory comprises eight floating gate memory cells.
Verfahren zum Programmieren eines Arrays aus Zellen mit erdfreiem Gate nach Anspruch 15, wobei jedes aus der Mehrzahl von Worten des Speichers zwei Speicherteilworte aufweist.
The method for programming a multi-level threshold memory cell device according to claim 15, wherein the pull down step will occur for each current sensor when the programmed voltage crosses the target threshold level set for the dummy cell (144).
Verfahren zum Programmieren einer Speicherzelleneinrichtung mit Schwellwerten auf mehreren Niveaus nach Anspruch 15, wobei der Schritt des Herabziehens für jeden Stromsensor erfolgt, wenn die programmierte Spannung das angestrebte Schwellwertniveau durchschreitet, welches für die Pseudozelle (144) gesetzt worden ist.
The method for programming a multi-level threshold memory cell device according to claim 7 or claim 8, wherein the step of determining a gate voltage includes a means for tracking and compensating the gate voltage used to generate the current source current.
Verfahren zum Programmieren einer Speicherzelleneinrichtung mit Schwellwerten auf mehreren Niveaus nach Anspruch 7 oder Anspruch 8, wobei der Schritt des Erfassens einer Gate-Spannung eine Einrichtung zum Verfolgen und Kompensieren der Gate-Spannung aufweist, die verwendet wird, um den Strom der Stromquelle zu erzeugen.
The method for programming a redundant target system (ZS) with security requirements, especially for insertion of data records in system target computers (ZR1, ZR2).
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Programmieren eines redundant ausgeführten Zielsystems (ZS) mit Sicherheitsanforderung und dient insbesondere dem Einbringen von Datensätzen in Zielrechner von Anlagen.
The method for programming the detonation of projectiles (G) fired from the barrel of a gun in which the projectiles follow a curved trajectory (g, gasterisk) and detonate at a detonation location (Qasterisk) close to the target (Z).
Hierzu werden der Längenabstand (x) des Zieles von der Waffe gemessen und die Elevation (λ) eingestellt, wobei eine vorbekannte Mündungsgeschwindigkeit (v (0)) und der Längenabstand eine vorgegebene optimale Höhe (y*) des Zerlegungsortes berücksichtigt werden.
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Afbeelding van de dag
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