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the second cladding layer
Vertaling van "the second cladding layer" in Duits
der zweiten Mantelschicht
die zweite Mantelschicht
die zweite Überzugsschicht
der zweiten Hüllschicht
A multi core optical fiber according to claim 1, wherein the absorption coefficient of the second cladding layer (6) is larger than that of the first cladding layer (5).
Optische Multikernfaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Absorptionskoeffizient der zweiten Mantelschicht (6) größer ist als derjenige der ersten Mantelschicht (5).
An optical waveguide as claimed in claim 1 further characterized in that the second electrical conductor (26) is a ground plane affixed to the external major surface of the second cladding layer and extending to the end (35) of the waveguide.
Optischer Wellenleiter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite elektrische Leiter (26) eine Masseebene ist, die an der externen Hauptoberfläche der zweiten Mantelschicht angebracht ist und bis zum Ende (35) des Wellenleiters verläuft.
A self-pulsation type semiconductor laser device according to any preceding claim, wherein the second cladding layer (15,35) is doped with impurities of a second conductivity type at a concentration of about 1×10 18 cm -3 or more.
Selbstschwingender Halbleiterlaser nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die zweite Mantelschicht (15, 35) mit Fremdstoffen vom zweiten Leitungstyp mit einer Konzentration von ungefähr 1 x 10 18 cm -3 oder mehr dotiert ist.
A compound semiconductor layer according to claim 8, wherein the third cladding layer (610) is formed of the same compound of the second cladding layer (608).
Verbindungshalbleiterlaser nach Anspruch 8, bei dem die dritte Mantelschicht (610) aus derselben Verbindung wie die zweite Mantelschicht (608) gebildet ist.
An inverted channel substrate planar semiconductor laser as defined in claim 3, wherein: the conductive contact region is a zinc diffusion region extending through the blocking layer to the second cladding layer.
Halbleiterlaser mit umgekehrtem Kanal und ebenem Substrat gemäß Anspruch 3, wobei der leitende Kontaktbereich ein Zink-Diffusionsbereich ist, der sich durch die Blockierschicht und die zweite Überzugsschicht erstreckt.
A semiconductor device according to claim 25, wherein the second cladding layer (165) is n-type over at least part of said slanted surface, thus comprising another of said at least one epitaxial layers.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 25, worin die zweite Überzugsschicht (165) ein n-Typ über zumindest einem Teil der schrägen Oberfläche ist, somit eine andere der zumindest einen Epitaxialschicht aufweisend.
The method of claim 32 including the step of forming said waveguides as a ridge or ridges (36, 38, 40, 42) in at least the second cladding layer (32).
Verfahren nach Anspruch 32, beinhaltend den Schritt des Bildens der Wellenleiter als Steg oder Stege (36, 38, 40, 42) in zumindest der zweiten Mantelschicht (32).
The laser structure (100) of claim 4, further comprising: a cap layer (60) located above the second cladding layer (40).
Laserstruktur (100) nach Anspruch 4, mit dem weiteren Merkmal: eine Deckschicht (60), die über der zweiten Mantelschicht (40) liegt.
An optical isolator as claimed in any of the preceding claims further comprising a cap layer (7) between the second cladding layer (6) and the first electrode (8).
Optischer Isolator nach einem der vorhergehenden Ansprüche, der zudem eine Schutzschicht (7) zwischen der zweiten Mantelschicht (6) und der ersten Elektrode (8) umfasst.
An inverted channel substrate planar semiconductor laser as defined in claim 1, wherein: the substrate, the first cladding layer, and the blocking layer are of n type material; and the second cladding layer is of p type material.
Halbleiterlaser mit umgekehrtem Kanal und ebenem Substrat gemäß Anspruch 1, wobei das Substrat, die erste Überzugsschicht und die Blockierschicht aus einem Material vom n-Typ sind und die zweite Überzugsschicht aus einem Material vom p-Typ.
The device of claims 1 wherein the device includes a substrate layer (80,80a) upon which is provided the first cladding layer (60,60a), the core or guiding layer (55,55a) and the second cladding layer (65,65a) respectively.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vorrichtung eine Substratschicht (80, 80a) umfasst, auf der die erste Mantelschicht (60, 60a), die Kern- oder Führungs-Schicht (55, 55a) bzw. die zweite Mantelschicht (65, 65a) vorgesehen sind.
The device of claim 1 wherein the optical waveguide (15,15a) is a ridge waveguide (70,70a) formed in at least the second cladding layer (65,65a).
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei der optische Wellenleiter (15, 15a) ein Steghohlleiter (70, 70a) ist, der in wenigstens der zweiten Mantelschicht (65, 65a) ausgebildet ist.
Process according to one of Claims 8 to 11, characterized in that undercutting is not effected relative to the patterned contact layer (6) which acts as an etching mask, during the etching of the second cladding layer (5).
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Ätzung der zweiten Mantelschicht (5) keine Unterätzung gegenüber der als Ätzmaske wirkenden, strukturierten Kontaktschicht (6) erfolgt.
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