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the semiconductor layer sequence
Vertaling van "the semiconductor layer sequence" in Duits
The gap and a through-plating are not covered by the semiconductor layer sequence.
Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.
In particular, the surface can be an interface between two layers of the semiconductor layer sequence.
Insbesondere kann die Fläche dabei eine Grenzfläche zwischen zwei Schichten der Halbleiterschichtenfolge sein.
In at least one embodiment, the semiconductor layer sequence (1) is provided for an optoelectronic semiconductor chip (10).
In mindestens einer Ausführungsform ist die Halbleiterschichtenfolge (1) für einen optoelektronischen Halbleiterchip (10) vorgesehen.
The carrier (2) and the semiconductor layer sequence (3) protrude over the metal mirror (4) in the lateral direction.
Der Träger (2) und die Halbleiterschichtenfolge (3) überragen den Metallspiegel (4) in lateraler Richtung.
It may be particularly advantageous when the first filter element is disposed directly on the semiconductor layer sequence.
Dabei kann es insbesondere vorteilhaft sein, wenn das erste Filterelement direkt auf der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist.
The glass substrate is preferably connected by means of an intermediate layer of a silicon oxide with the semiconductor layer sequence.
Das Glassubstrat wird vorzugsweise mittels einer Zwischenschicht aus einem Siliziumoxid mit der Halbleiterschichtenfolge verbunden.
The filter structure can have at least a first filter element that is disposed downstream of the semiconductor layer sequence in the emission direction.
Die Filterstruktur kann zumindest ein erstes Filterelement aufweisen, das der Halbleiterschichtenfolge in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist.
By tapered side edges incoherent second electromagnetic radiation deflected from spreading within the semiconductor layer sequence and, for example, to an above described layer can be directed with an absorbent material.
Durch angeschrägte Seitenflanken kann inkohärente zweite elektromagnetische Strahlung, die sich innerhalb der Halbleiterschichtenfolge ausbreitet abgelenkt und beispielsweise zu einer oben beschriebenen Schicht mit einem absorbierenden Material gelenkt werden.
The mask layer used during the ion implantation can be removed with the carrier substrate, for example, prior to connecting the semiconductor layer sequence.
Die bei der Ionenimplantation verwendete Maskenschicht kann beispielsweise vor dem Verbinden der Halbleiterschichtenfolge mit dem Trägersubstrat entfernt werden.
The support with the semiconductor layer sequence is singularized into the plurality of opto-electronic semiconductor chips, each semiconductor chip having at least one recess.
Der Träger mit der Halbleiterschichtenfolge wird in die Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips vereinzelt, wobei jeder Halbleiterchip zumindest eine Ausnehmung aufweist.
Such surface may be for example, a side surface of the semiconductor layer sequence, which extends from the radiation to the radiation opposing surface.
Eine derartige Fläche kann beispielsweise eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge sein, die sich von der Strahlungsauskoppelfläche zur der Strahlungsauskoppelfläche gegenüberliegenden Oberfläche erstreckt.
The surface structure may, for example, a roughening and/ or at least one recess in at least one surface of the semiconductor layer sequence, which is different from the radiation to be.
Die Oberflächenstruktur kann beispielsweise eine Aufrauung und/oder zumindest eine Vertiefung in zumindest einer Oberfläche der Halbleiterschichtenfolge, die verschieden von der Strahlungsauskoppelfläche ist, sein.
In a particularly preferred embodiment, at least one current barrier is contained which has material of the epitaxial semiconductor layer sequence, material of the current spreading layer and/or an interface between the semiconductor layer sequence and the current spreading layer.
In einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist mindestens eine Strombarriere enthalten, die Material der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge, Material der Stromaufweitungsschicht und/oder eine Grenzfläche zwischen der Halbleiterschichtenfolge und der Stromaufweitungsschicht aufweist.
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