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Transistorarraybauelement
Dünnfilmtransistormatrix-Bauelement
The transistor array device of claim 15 wherein said transistors of said array are part of a memory cell array.
Transistorarraybauelement nach Anspruch 15, wobei die Transistoren des Arrays Teil eines Speicherzellenarrays sind.
The transistor array device of claim 15 wherein said first monitor transistor is located in said transistor array.
Transistorarraybauelement nach Anspruch 15, wobei sich der erste Überwachungstransistor in dem Transistorarray befindet.
The transistor array device of claim 15 wherein said first monitor transistor is located in a monitor array adjacent to said transistor array.
Transistorarraybauelement nach Anspruch 15, wobei sich der erste Überwachungstransistor in einem Überwachungsarray neben dem Transistorarray befindet.
The transistor array device of claim 15 wherein said first monitor transistor has a threshold voltage which is representative of a threshold voltage of said transistors of said array.
Transistorarraybauelement nach Anspruch 15, wobei der erste Überwachungstransistor eine Schwellenspannung aufweist, die eine Schwellenspannung der Transistoren des Arrays darstellt.
The transistor array device of claim 15 comprising a first plurality of monitor transistors including said first monitor cell transistor wherein at least two of said first plurality of monitor transistors form part of first said voltage regulator circuit.
Das Transistorarraybauelement nach Anspruch 15 mit einer ersten Vielzahl von Überwachungstransistoren, einschließlich des ersten Überwachungszellentransistors, wobei mindestens zwei der ersten Vielzahl von Überwachungstransistoren einen Teil der ersten Spannungsreglerschaltung bilden.
A thin film transistor array device according to claim 3, wherein the outer gate wiring is covered with an anodized film.
A thin film transistor array device according to claim 1, wherein the inner gate wiring has a smaller specific resistance than that of the outer gate wiring.
Dünnfilmtransistormatrix-Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die innere Gateleitung einen kleineren spezifischen Widerstand als die äußere Gateleitung aufweist.
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Synoniemen voor transistor array device in het Engels