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wherein said buffer layer
Vertaling van "wherein said buffer layer" in Duits
wobei die Pufferschicht
bei dem die Pufferschicht
bei der die Pufferschicht
The method in accordance with any one of claims 1 to 3, wherein said buffer layer is formed while maintaining said temperature at which said buffer layer is started to be formed.
Das Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Pufferschicht gebildet wird, während die Temperatur, bei der die Pufferschicht beginnt, sich zu bilden, beibehalten wird.
The mask of one of the claims 7 to 9 wherein said buffer layer (207, 1007) is formed from carbon, chromium, an oxide, or ruthenium.
Maske nach einem der Ansprüche 7 bis 9, wobei die Pufferschicht (207, 1007) aus Kohlenstoff, Chrom, einem Oxid, oder Ruthenium gebildet ist.
The process set forth in any one of claims 8 to 14, wherein said buffer layer of Ln 2 O 3 and said under-layer are prepared by vacuum deposition method.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 14, bei dem die Pufferschicht aus Ln 2 O 3 und die genannte Unterschicht durch ein Vakuumabscheideverfahren hergestellt werden.
An optical information recording medium according to any of Claims 1 through 5, wherein said buffer layer (17) is formed of a powder.
Medium für optische Informationsaufzeichnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Pufferschicht (17) aus einem Pulver gebildet ist.
A semiconductor device according to claim 1, wherein said buffer layer (2) serving as a potential barrier for carriers flowing through said first conductivity type channel layer and other carriers flowing through said second conductivity type channel layer.
Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Pufferschicht (2) als Potentialbarriere für Träger dient, die durch die Kanal-Schicht des ersten Leitfähigkeitstyps fließen, und für andere Träger, die durch die Kanal-Schicht des zweiten Leitfähigkeitstyps fließen.
A device according to claim 1, wherein said buffer layer (21) is made of a material which is not etched by an etchant which etches said insulating layer (22).
Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Pufferschicht (21) aus einem Material gemacht ist, das nicht durch ein Ätzmittel geätzt wird, das die Isolationsschicht (22) ätzt.
The waveguide-type optical device as claimed in claim 1, 2, or 3, wherein said buffer layer is made of SiO 2.
Optische Wellenleiter-Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Pufferschicht aus SiO 2 besteht.
A device according to claim 5, wherein said buffer layer (200) consists of an n-type InP crystal.
Vorrichtung nach Anspruch 5, wobei die Pufferschicht (200) aus einem n-dotierten InP-Kristall besteht.
An electronic device substrate structure according to any one of Claims 3 through 5, wherein said buffer layer contains zirconium oxide as a main component.
Substratstruktur für eine elektronische Vorrichtung nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei die Pufferschicht Zirkonoxid als einen Hauptbestandteil enthält.
The method in accordance with any one of claims 1 to 3, wherein said buffer layer consists of Al, In, and Sb, and wherein said Al has a proportion decreasing with increasing thickness of said buffer layer.
Das Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Pufferschicht aus Al, In und Sb besteht, und wobei das Al einen Anteil aufweist, der mit zunehmender Dicke der Pufferschicht abnimmt.
The VCSEL [160,161] of claim 1 wherein said buffer layer is transparent to light of said predetermined wavelength.
VCSEL (160,161) nach Anspruch 1, wobei die Pufferschicht (122) für Licht der vorbestimmten Wellenlänge transparent ist.
A field effect transistor as claimed in Claim 15, wherein said buffer layer is an undoped layer.
Feldeffekttransistor nach Anspruch 15, bei dem die Pufferschicht eine undotierte Schicht ist.
The device of claim 5 wherein said buffer layer (14, 10) is AlSb, said doped layer (12) is p + GaSb, and said substrate (8) is GaAs.
Bauelement nach Anspruch 5, bei dem die Pufferschicht (14, 10) AlSb ist, die dotierte Schicht (12) p + GaSb ist und das Substrat (8) GaAs ist.
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