By a write current, a magnetic field is generated in the coil.
Durch einen Schreibstrom wird ein Magnetfeld von der Spule erzeugt.
The method of storing data of claim 7 wherein said step of writing includes terminating said first write current after the memory cell shifts said memory state.
Verfahren zum Speichern von Daten nach Anspruch 7, worin der Schreibschritt umfaßt, den ersten Schreibstrom zu beenden, nachdem die Speicherzelle den Speicherzustand umschaltet.
Method of optimising a write current for at least one rotatable magnetic head and arrangement for carrying out such a method.
Verfahren zur Optimierung eines Schreibstromes für mindestens einen drehbaren Magnetkopf und Anordnung zur Ausführung eines derartigen Verfahrens.
Regulating a magnetic memory cell write current
The method of claim 1, in which the temperature is increased by, the step (step 409) of increasing the write current applied to a write element carried by the head.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die Temperatur durch den Schritt (Schritt 409) der Erhöhung der Stromstärke des Schreibstroms erhöht wird, mit dem ein von dem Kopf getragenes Schreibelement beaufschlagt wird.
The conductor track (12) carrying the write current is arranged in a recess (16) of the magnetic substrate (15), providing a particularly favourable layer structure without pronounced steps.
Die den Schreibstrom führende Leiterbahn (12) ist in einer Ausspa- rung (16) des magnetischen Substrates (15) angeordnet, wodurch sich ein besonders günstiger, stufenarmer Schicht- aufbau ergibt.
Integrated magnetoresistive semiconductor memory arrangement according to one of Claims 1 to 3, characterized in that each transistor of the decoding circuit is designed in such a way that it can drive the relatively high write current required for each memory cell of the memory arrangement.
Integrierte magnetoresistive Halbleiterspeicheranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Transistor der Decodierschaltung so ausgelegt ist, dass er den für jede Speicherzelle der Speicheranordnung benötigten relativ hohen Schreibstrom treiben kann.
A device as claimed in Claim 1, characterized in that the control signal generator means are further adapted to subsequently gradually reduce the influence of the control signal on the write current to zero as time elapses.
Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuersignalgeneratormittel weiterhin ausgebildet sind, anschließend den Einfluß des Steuersignals auf den Schreibstrom im Laufe der Zeit allmählich auf null zu reduzieren.
The method according to Claim 23, wherein the MRAM device further comprises a cap layer (32) disposed over the second magnetic material (26), wherein running a heat current comprises running a write current through the cap layer (32).
Verfahren nach Anspruch 23, wobei das MRAM Bauelement zusätzlich eine Deckschicht (32) über dem zweiten magnetischen Material (26) aufweist und das Treiben eines Erwärmungsstroms das Treiben eines Schreibstroms durch die Deckschicht (32) einschließt.
Device for generating write current in an MRAM and memory containing said device
Vorrichtung zum Erzeugen eines Schreibstroms in einem MRAM und eine solche Vorrichtung enthaltender Speicher
Arrangement according to one of Claims 1 to 7, characterised in that a pulse generator (PG) is provided, which briefly increases the write current (ID) at every edge of the data signals (D).
Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß ein Impulsgeber (PG) vorgesehen ist, der bei jeder Flanke der Datensignale (D) den Schreibstrom (ID) kurzzeitig erhöht.
BIPOLAR RAM HAVING STATE DEPENDENT WRITE CURRENT.
BIPOLARES RAM MIT ZUSTANDSABHÄNGIGEM SCHREIBSTROM.
Semiconductor memory having a small write current.