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une couche de diffusion de type p
shown in the drawing, a p-type diffusion layer
à semi-conducteur illustré par le dessin, une couche
By applying the composition for impurity diffusion layer formation and subjecting the applied composition to a thermal diffusion treatment, an n-type diffusion layer or a p-type diffusion layer is produced.
Lorsque la composition est appliquée en vue de la formation d'une couche de diffusion d'impuretés et est soumise à un traitement de diffusion thermique, une couche de diffusion de type n ou une couche de diffusion de type p sont formées.
By applying a coating of said p-type diffusion layer forming composition and performing thermal diffusion treatment, a p-type diffusion layer, and a solar cell element having the p-type diffusion layer, are produced.
En appliquant un revêtement de ladite composition formant une couche de diffusion de type P et en effectuant un traitement de diffusion thermique, une couche de diffusion de type P et un élément de cellule solaire comprenant la couche de diffusion de type P sont produits.
the first barrier layer has an n-type diffusion layer and the second barrier layer has a p-type diffusion layer
la première couche barrière possède une couche de diffusion de type n et la seconde couche barrière possède une couche de diffusion de type p
furthermore, a p-type diffusion layer and n-type diffusion layer are formed closely to the vertical charge transfer region on the back surface side of the semiconductor substrate
en outre, une couche de diffusion du type p et une couche de diffusion du type n sont formées à proximité de la région de transfert de charge verticale sur le côté de surface arrière du substrat semi-conducteur
on an n-type semiconductor substrate, a p-type diffusion layer is formed by ion implantation, and on a surface layer of the diffusion layer, an n-type resistance element region is formed by ion implantation
sur un substrat semi-conducteur de type n, une couche de diffusion de type p est formée par implantation d'ions et sur une couche de surface de la couche de diffusion, une région d'élément de résistance de type n est formée par implantation d'ions
A p-type diffusion layer (3) is provided upon the n - type drift layer (1) in a termination region around the periphery of the active region.
Une couche de diffusion de type p (3) est disposée sur la couche flottante de type n- (1) dans une région de terminaison autour de la périphérie de la région active.
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