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a semiconductor structure including
Vertaling van "a semiconductor structure including" in Frans
une structure de semi-conducteur comprenant
une structure à semi-conducteurs comprenant
a memory having gate structures adjacent opposing sidewalls of a semiconductor structure including a channel region and a plurality of charge storage locations between the gate structures and the opposing sidewalls
mémoire présentant des structures de grille contiguës aux parois latérales opposées d'une structure de semi-conducteur comprenant une zone de canal et une pluralité d'emplacements capacitifs situés entre ces structures de grille et les parois latérales opposées
In accordance with one embodiment of the invention, there is provided a semiconductor structure including a planarized relaxed Si1-xGex layer on a substrate, and a device heterostructure deposited on said planarized relaxed Si1-x Gex layer including at least one strained layer.
Dans un mode de réalisation, l'invention concerne une structure de semi-conducteur comprenant une couche planarisée et relaxée de Si1-xGex sur un substrat, ainsi qu'une hétérostructure déposée sur ladite couche planarisée et relaxée de Si1-xGex comprenant au moins une couche contrainte.
a semiconductor structure including a relaxed si1-xGex layer on a substrate, a strained channel layer on said relaxed si1-xGex layer, and a sacrificial si1-yGey layer
une structure à semi-conducteurs comprenant une couche de si1-xGex non contrainte sur un substrat, une couche canal contrainte sur la couche de si1-xGex non contrainte, et une couche de si1-yGey sacrificiel
a semiconductor structure including a single quantum well ge1-x1-ySix1Sn/ge1-x2Six2 heterostructure grown strain-free on si via a sn1-xGex buffer layer is shown.
une structure à semi-conducteurs comprenant une hétérostructure ge1-x1-ySix1Sn/ge1-x2Six2 à monopuits quantique obtenue en l'absence de fatigue sur si via une couche tampon de sn1-xGex...
a method is provided for forming a capping layer for a semiconductor structure including a silicide-forming metal overlying silicon
l'invention concerne un procédé de formation d'une couche de recouvrement pour une structure de semiconducteur, comportant un métal formant du siliciure recouvrant le silicium
an optical device comprises a semiconductor structure including first and second ridge waveguides, each waveguide comprising a ridge extending across a surface of the semiconductor structure
un dispositif optique qui comprend une structure semi-conductrice incluant un premier et un second guide d'ondes à arrête, chaque guide d'ondes comprenant une arrête s'étendant en travers d'une surface de la structure semi-conductrice
a semiconductor structure including a single-crystal region composed of an isotopically enriched semiconductor material, and a semiconductor device formed in the isotopically enriched semiconductor region.
structure de semi-conducteur comportant une région mono-cristalline composée d'un matériau semi-conducteur enrichi isotopiquement, et un composant semi-conducteur formé dans la région du matériau semi-conducteur enrichi isotopiquement.
a semiconductor structure including a semiconductor substrate, at least one first crystalline epitaxial layer on the substrate, the first layer having a surface which is planarized, and at least one second crystalline epitaxial layer on the at least one first layer
une structure semi-conductrice comportant un substrat semi-conducteur, au moins une première couche épitaxiale cristalline qui est appliquée sur ce substrat et présente une surface planarisée, et au moins une seconde couche épitaxiale cristalline appliquée sur ladite première couche
a semiconductor structure including a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region is attached to a compound substrate including a host which provides mechanical support to the device and a ceramic layer including a luminescent material
une structure semi-conductrice constituée d'une couche électroluminescente disposée entre une région de type n et une région de type p et qui est fixée à un substrat composite constituée d'une base qui fournit un support mécanique au dispositif et une couche céramique comprenant un matériau luminescent
A method of forming such a semiconductor structure including the inventive spacer is also provided that utilizes self-assembled block copolymer technology.
La présente invention concerne également un procédé de formation d'une telle structure semi-conductrice, comprenant l'espaceur de l'invention, selon la technologie à copolymère séquencé auto-assemblé.
a method of fabricating a semiconductor structure including forming a semiconductor material with a trench feature over a layer
l'invention concerne également un procédé de fabrication d'une structure à semi-conducteurs consistant à former un matériau à semi-conducteurs présentant une tranchée sur une couche
a semiconductor structure including e.g. SiGe having a surface layer disposed over a substrate, the surface layer including strained silicon
une structure semi-conductrice contenant, par exemple, SiGe et présentant une couche de surface disposée sur un substrat, la couche de surface renfermant du silicium contraint
A semiconductor structure including a cap layer formed over a semiconductor substrate having a rough edge, which discourages formation of dislocation pile-up defects.
Cette invention se rapporte à une structure de semi-conducteur, qui comprend une couche d'encapsulation formée sur un substrat semi-conducteur ayant un bord rugueux, qui décourage la formation de défauts du type empilement de dislocations.
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