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une zone source
une zone de source
une région source
un bassin géographique
Route-finding operations may be performed using the adjacency relationships to find a path from a source area to a destination area.
Des opérations de routage peuvent être exécutées en utilisant les relations de voisinage dans le but de trouver un trajet allant d'une zone source à une zone de destination.
The system further includes an interface by which an administrator defines a link that specifies a source area of the first database and a target area of the second database.
Ce système comprend également une interface au moyen de laquelle un administrateur définit une liaison qui spécifie une zone source de la première base de données et une zone cible de la seconde base de données.
In one aspect, a substrate having a source area, a drain area, and a channel area is provided.
Selon un aspect, la présente invention concerne un substrat possédant une zone de source, une zone de drain et une zone de canal.
The medium layer is provided with a source area, a drain area, and a channel area communicating the source area with the drain area.
La couche intermédiaire comprend une zone de source, une zone de drain, et une zone de canal qui fait communiquer la zone de source avec la zone de drain.
each memory cell is a memory transistor which is provided with a gate electrode on the upper surface of a semiconductor body. said gate electrode is disposed in a trench between a source area and a drain area which are formed in the semiconductor material
chaque cellule de mémoire est un transistor de mémoire qui est muni, sur une face supérieure d'un corps semi-conducteur, d'une électrode de grille qui est disposée dans une tranchée entre une région source et une région drain, lesquelles sont formées dans le matériau semi-conducteur
said semiconductor layer structure consists of a first gate electrode and a second gate electrode, between which a semiconductor channel layer area is embedded, and a source area and a drain area, which are situated on opposite front sides of the semiconductor channel layer area
cette structure comprend une première et une deuxième électrode de grille entre lesquelles est intégrée une zone de couche canal semi-conductrice, ainsi qu'une région source et une région drain placées sur des faces frontales opposées de la zone de couche canal semi-conductrice
a semiconductor memory element comprising a substrate. wherein a source area and a drain area are formed
un élément de mémoire à semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il comprend un substrat dans lequel sont formées une zone source et une zone drain
the invention relates to a method for memory defragmentation, especially in a portable data carrier, whereby the contents of a source area in a non-volatile, recordable memory are moved into a target area
la présente invention concerne un procédé de défragmentation de mémoire concernant notamment un support de données portable, le contenu d'une zone source d'une mémoire non volatile inscriptible étant déplacé vers une zone cible
The filament has an elongated extension (11, 12) in each of two directions perpendicular to the electron beam in a source area of the electron beam.
Le filament présente dans une zone source du faisceau électronique, dans deux directions, perpendiculairement au faisceau électronique, respectivement, une extension longitudinale (11, 12).
The dopant ion implanting process which is performed for forming a source area (S) and a drain area (D) is divided into two stages.
Selon l'invention, un procédé d'implantation d'ions de dopage mis en oeuvre pour former une zone source (S) et une zone drain (D) est divisé en deux étapes.
A source electrode (33) is formed in contact with a source area (22) and central parts of a p-type well (21).
Une électrode de source (33) en contact avec une zone de source (22) et les parties centrales d'un caisson d'isolement de type p (21) est formée.
Method of growing at least one single-crystal in a cylindrical housing (4) comprising a source area (6) and a well area (7) heated at different uniform temperatures.
Elle concerne un procede de croissance d, au moins un monocristal dans une enceinte cylindrique (4) comprenant une zone source (6) et une zone puits (7) chauffées a des températures uniformes differentes.
the invention relates inter alia to a flash memory transistor (t11) having a single pocket doping region in the vicinity of a source area
l'invention concerne, entre autres, un transistor de mémoire flash (t11) présentant une seule zone en poche dopée dans le voisinage d'une zone de source
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