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a-si
Vertaling van "a-si" in Frans
Detection is accomplished utilizing a-Si:H detectors.
La détection est réalisée par des détecteurs a-Si:H.
The amorphous structure of a-Si implies high inherent disorder and dangling bonds, making it a bad conductor for charge carriers.
La structure amorphe du a-Si implique un désordre inhérent élevé et des liaisons pendantes, ce qui en fait un mauvais conducteur pour les porteurs de charge.
the n-layer is formed by an n-type a-si: h
la couche n est composée d'a-si: h de type n
h; the n-type layer is made of an n-type a-si
h de type i; la couche de type n'est composée d'a-si
h; the i-type layer is made of an i-type a-si
h de type p; la couche de type i est composée d'a-si
the base layer is made of a p-type poly-si; the p-type layer is made of a p-type a-si
la couche de base est composée de poly-si de type p; la couche de type p est composée d'a-si
the amorphous thin films are formed by the i-type a-si: h and the crystalline thin films are formed by the i-type poly-si
les films minces amorphes sont composés d'a-si: h de type i et les films minces cristallins sont composés de poly-si de type i
h groups and reacting the obtained intermediate with a compound having functional groups that can react with si-h, si-h2 and/or a-si
h et en faisant réagir l'intermédiaire ainsi obtenu avec un composé qui présente des groupes fonctionnels capables de réagir avec les groupes si-h, si-h2 et/ou a-si
a combination of a thin-film µc-si and a-si. h containing diode structure characterized by an ultra-high current density that exceeds 1000 a/cm2, comprising
une combinaison de vc-si en couche mince et d'une structure de diode contenant du a-si. h, se caractérisant par une densité de courant très élevée dépassant les 1000 a/cm2, comprenant
while suppressing the corrosion of a silicon substrate and preventing effectively the corrosion of a-si and p-si which are constituent metals of a thin film transistor.
tout en éliminant la corrosion d'un substrat de silicium et en empêchant efficacement la corrosion de a-si et p-si qui sont de métaux constitutifs d'un transistor à couches minces.
the invention relates to an opto-electronic component for converting electromagnetic radiation into an intensity-dependent photocurrent, comprising a substrate with a microelectronic circuit whose surface is provided with a first layer which is electrically contacted thereto and made of amorphous silicon a-si
l'invention concerne un composant optoélectronique servant à convertir un rayonnement électromagnétique en un courant photoélectrique dépendant de l'intensité. ce composant comprend un substrat, doté d'un circuit de commutation micro-électronique, sur la surface duquel est disposée une première couche en silicium amorphe a-si
accordingly, it is possible for the p-si amplifier to output a large difference in sensitivity detected by the a-si diode as a large difference in output voltage.
en conséquence, il est possible que l'amplificateur p-si produise sous la forme d'une forte différence de tension de sortie la forte différence de sensibilité détectée par la diode a-si.
the select regional crystallization of an originally amorphous thin film using photon radiation and shadow mask with passages, yields polycrystalline thin films with maximum grain size at a minimum thermal budget, leaving non-irradiated regions of a-si.
la cristallisation régionale sélectionnée d'une couche mince initialement amorphe à l'aide d'un rayonnement photonique et d'un masque perforé doté de passages donne des couches minces polycristallines présentant une grosseur de grain maximale pour un bilan thermique minimal, laissant des régions non irradiées de a-si.
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Synoniemen voor a-si in het Engels
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