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an etch-stop layer
Vertaling van "an etch-stop layer" in Frans
une couche d'arrêt de gravure
Advantageously, certain example embodiments include a layer that acts as an etch-stop layer.
Avantageusement, certains modes de réalisations comprennent une couche qui agit comme une couche d'arrêt de gravure.
The utility layer can function as one or more of an etch-stop layer, a diffusion barrier layer, or an insulating layer.
Cette couche utilitaire peut fonctionner comme une couche d'arrêt de gravure, une couche barrière de diffusion ou une couche isolante.
The whole device is turned over and the nitride film is etched using an etch-stop layer, thus removing the handle wafer.
L'ensemble du dispositif est retourné et la pellicule de nitrure est gravée au moyen d'une couche d'arrêt de gravure, de manière à retirer la plaquette.
During fabrication of the memory device, a tungsten silicide is utilized as an etch-stop layer in place of a conventionally used aluminum oxide to form channel pillars having a high aspect ratio.
Pendant la fabrication du dispositif mémoire, un siliciure de tungstène est utilisé comme couche d'arrêt de gravure à la place d'un oxyde d'aluminium utilisé conventionnellement pour former des piliers de canal ayant un facteur de forme élevé.
surface having an etch-stop layer thereon, a low-k dielectric layer on the etch-stop layer, and a dielectric capping layer on the low-k dielectric layer
dotée d'une couche d'arrêt de gravure sur celle-ci, d'une couche à faible constante diélectrique k sur la couche d'arrêt de gravure, et d'une couche de couverture diélectrique sur la couche à faible constante diélectrique k
and further comprising the steps of forming a resist pattern for forming the bump by photo-etching the multilayer metal foil for forming the wiring, forming a bump by selective etching, and removing an etch-stop layer.
et les étapes suivantes: former un motif de résist pour produire la bosse, par photogravure de la feuille métallique multicouche servant à former le réseau de conducteurs; former une bosse par gravure sélective; et éliminer une couche empêchant la gravure.
In integrated circuits in which an etch-stop layer (100) is desired for the patterning of the metal film, a first optional insulating layer (100) is deposited prior to deposition of the metal film.
Dans les circuits intégrés dans lesquels une couche d'arrêt d'attaque (100) est souhaitable pour la formation de motif sur la pellicule métallique, on peut déposer une première couche d'isolation (100) avant le dépôt de la couche métallique.
in another method, an optical MEMS device is fabricated from a substrate that comprises an etch-stop layer interposed between first and second bulk layers
un autre procédé consiste à fabriquer un dispositif MEMS optique à partir d'un substrat comprenant une couche d'arrêt de gravure intercalée entre une première et une deuxième couche de substrat
An etch-stop layer may separate the first and second photoluminescent elements.
Une couche d'arrêt de gravure peut séparer les premier et second éléments photoluminescents.
an optical waveguide structure comprising an etch-stop layer and a method of manufacture thereof
structure de guide d'onde optique et son procédé de fabrication
When the silicon is removed by etching, the accommodating layer provides an etch-stop layer to protect the devices in the compound semiconductor layer.
Lorsque le silicium est supprimé par gravure, la couche intermédiaire devient une couche d'arrêt de gravure permettant de protéger les dispositifs de la couche semi-conductrice composée.
In the manufacturing method, required patterns can be formed only through three lithographic processes, in which one lithographic process is performed to form a semiconductor layer pattern and an etch-stop layer pattern.
Au cours du procédé de fabrication, les motifs requis peuvent être formés par l'intermédiaire de seulement trois processus lithographiques, un processus lithographique étant mis en œuvre pour former un motif de couche semi-conductrice et un motif de couche d'arrêt de gravure.
The present invention relates to the reduction of poisoned vias in a submicron process technology semiconductor wafer by reducing the occurrence of over-etched vias through the inclusion of an etch-stop layer.
L'invention concerne la suppression de traversées empoisonnées dans une plaquette en semi-conducteur issue de la technologie submicronique, procédé qui consiste à supprimer l'apparition de traversées trop attaquées, par l'inclusion d'une couche d'arrêt d'attaque chimique.
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