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sur la surface de liaison
au niveau de la surface de liaison
sur la surface liante
The invention relates to a microelectronic sensor device for the examination of target particles (1) that are bound to binding sites (3) at the binding surface (12) of a carrier (11).
L'invention concerne un dispositif de détection microélectronique pour examiner des particules cibles (1) qui sont liées à des emplacements de liaison (3) sur la surface de liaison (12) d'un support (11).
The amount of light in a resulting output light beam (L2) is detected by a light detector (31) and provides information about the presence of target particles at the binding surface.
La quantité de lumière dans un faisceau lumineux de sortie résultant (L2) est détectée par un détecteur de lumière (31) et fournit des informations sur la présence de particules cibles sur la surface de liaison.
an input light beam is transmitted into the carrier and totally internally reflected at the binding surface
un faisceau lumineux d'entrée est transmis dans le support et réfléchi de manière interne et totale au niveau de la surface de liaison
the amount of light in the output light beam and optionally also of fluorescence light emitted by target components at the binding surface is then detected by a light detector
la quantité de lumière du faisceau de lumière sortante et, éventuellement, de lumière fluorescente émise par les composants cibles sur la surface liante est ensuite détectée par un détecteur de lumière
there is provided a microelectronic sensor device for the detection of target components near a binding surface, comprising a source for emitting a beam of radiation having a wavelength incident at the binding surface
l'invention concerne un capteur microélectronique conçu pour détecter des composants cibles à proximité d'une surface de liaison, qui comprend une source qui émet un faisceau de rayonnement ayant une longueur d'onde incidente au niveau de la surface de liaison
evanescent light generated during the total internal reflection is affected (absorbed, scattered) by target components and/or label particles at the binding surface and will therefore be missing in the output light beam
la lumière évanescente générée pendant la réflexion interne totale est affectée (absorbée, diffusée) par des composants cibles ou des particules de marquage sur la surface liante et manquera donc dans le faisceau de lumière sortante
by first labeling the binding partner and labeling the binding site of the protein indirectly (by exchange at the binding surface), the binding site may be differentiated from allosterically protected segments of the binding protein.
en marquant d'abord le partenaire de liaison et en marquant le site de liaison de la protéine indirectement (par échange à la surface de liaison), il est possible de différencier le site de liaison de segments allostériquement protégés de la protéine liante.
this can be used to determine the temperature of the detection area and optionally the amount of target components at the binding surface from the amount of light in the reflected light beam (l2, l2a, l2b)
ceci peut être utilisé pour déterminer la température de la zone de détection et facultativement la quantité de composants cibles au niveau de la surface de liaison à partir de la quantité de lumière dans le faisceau lumineux réfléchi (l2, l2a, l2b)
A magnetic field generator (41) is optionally used to generate a magnetic field (B) at the binding surface (12) by which magnetic label particles (1) can be manipulated, for example attracted or repelled.
Un générateur de champ magnétique (41) est facultativement utilisé pour générer un champ magnétique (B) au niveau de la surface de liaison (12), par lequel des particules de marquage magnétiques (1) peuvent être manipulées, par exemple attirées ou repoussées.
In a preferred embodiment, an input light beam (Ll) is transmitted into the carrier (11), where a frustrated total internal reflection (FTIR) takes place at the binding surface (12).
Dans un mode de réalisation préférentiel, un faisceau lumineux d'entrée (Ll) est émis dans le support (11) où il se produit une réflexion interne totale contrecarrée (FTIR) au niveau de la surface de liaison (12).
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