However, unlocking that potential requires bandgap engineering to control the properties determining how mobile charge carriers are produced.
Cependant, la concrétisation de ce potentiel impose de modifier la bande interdite pour contrôler les propriétés déterminant la façon dont sont produits les porteurs de charge mobiles.
This bandgap engineering gives silicon quantum dots applications in novel photovoltaic devices, while maintaining compatibility with existing silicon technologies.
Cette ingénierie du bandgap des nanocristaux de silicium est utile pour les applications photovoltaïques avancées et présente l'avantage de conserver la compatibilité avec les technologies silicium existantes.
with collector, base, emitter electrodes respectively, biased in the active mode where the minority carrier concentration in the base is designed with bandgap engineering to optimize optical gain in this region
et des électrodes placées sur les couches respectivement collectrice, de base, et émettrice, et sollicitées en mode actif lorsque la concentration de porteurs minoritaires de la base est réalisée en technologie bande interdite afin d'optimiser le gain optique dans cette région
New bandgap engineering diagrams are provided for each class of combination, based on determination of hybrid lattice constants for the constituent materials in accordance with lattice-matching equations.
De nouveaux diagrammes de mise au point de bande interdite sont fournis pour chaque classe de combinaison, en se basant sur la détermination de constantes de réseaux cristallins hybrides pour les matériaux constitutifs selon des équations d'égalité de réseaux cristallins.
Among its allotropes, graphene cut in nanoribbons (GNRs) is one of the most interesting structures because it offers possibilities of bandgap engineering.
Parmi ses allotropes, le graphène découpé en nanorubans est une des formes les plus intéressantes, notamment pour les possibilités d'ingénierie de bandes qu'il offre.
Among its allotropes, graphene cut in nanoribbons (GNRs) is one of the most interesting structures because it offers possibilities of bandgap engineering.
Parmi ses allotropes, le graphène découpé en nanorubans est une des formes les plus intéressantes, notamment pour les possibilités d'ingénierie de bandes qu'il offre.
Research involves Exploring innovative laser-based methods of quantum semiconductor materials fabrication and bandgap engineering for the purpose of developing a new generation of photonic devices for both information engineering and life sciences.
Objet de la recherche Étudier des méthodes laser novatrices de fabrication et d'ingénierie de structure de bande des matériaux quantiques semiconducteurs, afin de développer une nouvelle génération d'équipements photoniques utiles dans les secteurs des télécommunications et des sciences de la vie.
The approach is especially useful in CMOS processes and other electronic device manufacture where the presence of epitaxial Si1-yCy, y<0.1 is desired for strain engineering or bandgap engineering.
L'approche est notamment utile dans les procédés CMOS et autres procédés de fabrication de dispositifs électroniques où la présence de Si1-yCy épitaxial, y<0,1 est souhaitée pour l'ingénierie de déformation ou l'ingénierie de bande interdite.
epitaxial thin film SiCA1N and GeCA1N are provided. bandgap engineering is disclosed. semiconductor devices produced by the present method exhibit bandgaps and spectral ranges which make them useful for optoelectronic and microelectronic applications
l'invention concerne la couche mince épitaxiale de SiCA1N et de GeCA1N. ainsi que la largeur de bande interdite des dispositifs à semi-conducteurs produits par ledit procédé présentent des largeurs de bande interdite et une gamme spectrale les rendant utiles pour une pluralité d'applications optoélectroniques et micro-électroniques