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tension de commande de grille
tension de grille de commande
tension de commande de la grille
a particular embodiment performs multiple such sensing sub-operations, each with a different control gate voltage, but with multiple states being sensed in each operation by charging the previously discharged cells up through their source.
dans un mode de réalisation particulier, des sous-opérations multiples de détection se déroulent, chacune avec un tension de commande de grille différente, mais avec détection d'états multiples à chaque opération avec charge par leur source de cellules précédemment déchargées.
A second set of embodiments focuses on weak transconductance behavior by reading programmed cells with a control gate voltage well above the threshold voltage.
Un second ensemble de procédés est axé sur un comportement de transconductance faible, et consiste à lire les cellules programmées avec une tension de grille de commande largement plus élevée que la tension seuil.
One read process determines a memory cell's threshold voltage by slowly ramping the control gate voltage and sensing when the cell conducts.
Un processus de lecture détermine une tension seuil d'une cellule mémoire par application d'une fonction rampe lente à la tension de porte de commande et en détectant le moment où la cellule est conductrice.
The adjusting of the sensing may also be based on the control gate voltage and the associated data state involved in a specific sensing operation.
L'ajustement de la détection peut également être basé sur la tension de grille de commande et l'état de données associé impliqués dans une opération de détection spécifique.
a control gate voltage circuit provides a voltage level to the control gate of the data storage cell.
un circuit de tension de grille de commande fournit un niveau de tension à la grille de commande de la cellule de stockage de données.
during sensing the control gate voltage of a memory cell is erroneously biased by a voltage drop across the resistance
pendant la détection, la tension de commande de la grille d'une cellule mémoire est polarisée de manière erronée par une chute de tension dans la résistance
the control gate voltage for the selected non-volatile storage element is raised from a standby voltage (which is different than the intermediate voltage) to a read compare voltage
la tension de commande de l'élément de stockage non volatile sélectionné est transformé d'une tension de réserve (qui est différente de la tension intermédiaire) en une tension de comparaison de lecture
The lowered control gate voltage results in a channel-to-control gate voltage which is sufficiently high to encourage tunneling.
En conséquence, la tension abaissée de la grille de commande conduit à une tension de canal à grille de commande qui est suffisamment élevée pour favoriser la tunnelisation.
One write process applies a control gate voltage (Vpp) which provides a saturation threshold voltage near a target threshold voltage being written.
Un processus d'écriture applique une tension de porte de régulation (Vpp) qui fournit une tension seuil de saturation proche d'une tension seuil cible en cours d'écriture.
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