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couches barrières de diffusion
couches de barrière de diffusion
couches barrières à la diffusion
the process can be used to form diffusion barrier layers between metals and silicon in computer microcircuits.
ce processus peut être utilisé pour former des couches barrières de diffusion entre les métaux et le silicium, à l'intérieur de microcircuits informatiques.
conformal diffusion barrier layers, and selectively formed capping layers, are used to isolate the conductive lines and vias from surrounding dielectric layers in the interconnect structures
des couches barrières de diffusion conformes et des couches de couverture formées de façon sélective sont utilisées pour isoler les lignes conductrices et les trous de connexion des couches diélectriques environnantes dans les structures d'interconnexion
in addition, the strip structures are coated or surrounded by one or more diffusion barrier layers
en outre, les structures de bandes selon l'invention sont revêtues ou entourées d'une ou plusieurs couches de barrière de diffusion
Methods for depositing metal films by CVD or ALD processes onto diffusion barrier layers
Procédés pour le dépôt de films métalliques par les processus CVD ou ALD sur des couches de barrière de diffusion
the fuel cells of the stack incorporate gas diffusion barrier layers at the cathode side thereof
les piles à combustibles de l'assemblage comprennent des couches formant une barrière de diffusion du gaz côté cathode
the hydrogen diffusion barrier layers are formed by applying a metal organic precursor solution to a substrate and then heating it.
les couches barrière à la diffusion d'hydrogène sont formées par application d'une solution de précurseur organique métallique sur le substrat, puis chauffent ledit substrat.
metal ion diffusion barrier layers
couche d'arrêt de diffusion d'ions métalliques
The present invention provides Cu lines which are enclosed within Cu diffusion barrier layers, for IC structures such as semiconductor devices.
La présente invention concerne des lignes Cu contenues dans des couches de barrières de diffusion en Cu, conçues pour des structures de circuits intégrés tels que les dispositifs à semiconducteurs.
The present disclosure relates diffusion barrier layers for backend interconnects and their methods of manufacturing.A TaNx/Ta diffusion barrier layer used for backend interconnect is formed at a temperature between about 150-450ºC, wherein the Ta film exhibits a body-centered-cubic (BCC) structure and a lower electrical resistivity.
Une couche de barrière de diffusion TaNx/Ta utilisée pour une interconnexion dorsale est formée à une température comprise entre environ 150 ºC et 450 ºC, le film de Ta présentant une structure cubique centrée (BCC) et une résistivité électrique inférieure.
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