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couches d'arrêt de gravure
couches ecran anti-mordançage
couches d'arrêt de la gravure
couches d'arrêt d'attaque chimique
Capacitors include proximate dense or highly dense etch stop layers.
The in-situ dopages serve as etch stop layers which allow for the readily reproducible and defined removal of silicon using known wet-chemical etching agents.
Ces dopages in situ servent de couches d'arrêt de gravure permettant un enlèvement déterminé de silicium, de façon bien reproductible, avec des agents d'attaque chimique par voie humide de types connus.
replacement gate flow facilitating high yield and incorporation of etch stop layers and/or stressed films
circulation de grille de remplacement permettant des rendements élevés et incorporation de couches d'arrêt de gravure et/ou de couches contraintes
These resins are useful as etch stop layers for organic dielectric materials having a critical surface free energy of 40 dynes/cm or higher.
Ces résines sont utilisées comme couches d'arrêt de gravure pour des matériaux diélectriques organiques présentant une énergie libre de surface critique égale à 40 dynes/cm minimum.
the placement of the grating layer between the etch mask and etch stop layers controls the selective wet etching step
le placement de la couche de grille entre le masque de gravure et les couches d'arrêt de gravure permet de contrôler l'étape de gravure sélective en conditions humides
thereby enabling extremely thin etch stop layers which additionally provide for the possibility of further reducing the offset from the channel region while not unduly contributing to overall process variability.
ce qui permet ainsi d'obtenir des couches d'arrêt de gravure extrêmement minces. ce qui permet en outre de réduire davantage le décalage de la région du canal tout en ne contribuant pas de façon indue à la variabilité du processus dans son ensemble.
This SiC containing film is suitable for integration into etch stop layers, dielectric cap layers and hard mask layers in interconnects of integrated circuits.
Ce film contenant du SiC est approprié pour une intégration dans des couches d'arrêt de gravure, des couches de recouvrement diélectrique et des couches de masque dur dans des interconnexions des circuits intégrés.
method of making an optoelectronic device using multiple etch stop layers
portions of the first and second etch stop layers adjacent the micro-mirrors are then etched away.
des parties de la première et de la seconde couche d'arrêt de gravure adjacentes aux micro-miroirs sont ensuite éliminées par gravure.
The interface between the active channel and the passivation layers or etch stop layers are either altered or damaged during formation of the source and drain electrodes.
L'interface entre le canal actif et les couches de passivation ou d'arrêt de la gravure est soit modifiée soit endommagée lors de la formation des électrodes source et drain.
High quality nitride films formed by the instant process are particularly suited for front-end applications such as the formation of spacer structures and the formation of contact etch stop layers.
Les couches de nitrure de haute qualité formées au moyen du procédé instantané sont particulièrement appropriées pour des applications frontales telles que la formation de structures d'espacement et la formation de couches d'arrêt d'attaque chimique par contact.
use of conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers and via plugs in interconnect structures
utilisation de couches d'arrêt d'attaque chimique déposées par dépôt électrolytique conducteur, couches de revêtement et fiches traversantes dans des structures d'interconnexion
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