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first gate insulating layer
Vertaling van "first gate insulating layer" in Frans
première couche d'isolation de grille
The second gate insulating layer contains nitrogen and has a lower hydrogen concentration than the first gate insulating layer.
La deuxième couche d'isolation de grille contient de l'azote et présente une plus faible concentration d'hydrogène que la première couche d'isolation de grille.
a first gate insulating layer is selectively placed over the silicon source and drain regions
une première couche d'isolation de grille est disposée, de manière sélective, sur la zone source et sur la zone drain en silicium
a semiconductor layer including an oxide semiconductor is formed on the first gate insulating layer
une couche à semi-conducteurs comprenant un semi-conducteur à oxyde est formé sur la première couche d'isolation de grille
Each of the plurality of memory cells includes a first transistor including a first gate electrode overlapping with an oxide semiconductor layer, and a capacitor including a source electrode or a drain electrode, a first gate insulating layer, and a conductive layer.
Chacune des cellules de la pluralité de cellules de mémoire comprend un premier transistor comprenant une première électrode grille chevauchant une couche d'oxyde semi-conducteur, et un condensateur comprenant une électrode source ou une électrode drain, une première couche isolante de grille, et une couche conductrice.
The first gate insulating layer contains nitrogen and has a spin density of 1x1017 spins/cm3 or less corresponding to a signal that appears at a g-factor of 2.003 in electron spin resonance spectroscopy.
La première couche d'isolation de grille contient de l'azote et présente une densité de spin de 1x1017 spins/cm3 ou moins, correspondant à un signal qui apparaît à un facteur g de 2,003 en spectroscopie de résonance paramagnétique électronique.
According to the inventive method for the production of a memory cell, a first gate insulating layer is formed on an auxiliary substrate and a floating gate is formed on the first gate insulating layer.
Ledit procédé consiste à former une première couche d'isolation de grille sur un substrat auxiliaire, puis une grille flottante sur cette première couche d'isolation de grille.
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