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provenant d'un contrôleur de mémoire
A memory access request including an address is received from a memory controller of an application server.
Une demande d'accès à la mémoire comprenant une adresse est reçue d'un contrôleur de mémoire d'un serveur d'applications.
The control signal is generated at a timing control circuit after receiving a read request from a memory controller.
Le signal de commande est généré au niveau d'un circuit de commande de minutage après la réception d'une requête de lecture provenant d'un contrôleur de mémoire.
The system further includes a timing control circuit configured to generate the control signal after receiving a read request from a memory controller.
Le système comprend en outre un circuit de commande de synchronisation configuré pour générer le signal de commande après avoir reçu une requête de lecture en provenance d'un contrôleur de mémoire.
In an embodiment, a multi-cycle command which is exchanged from a memory controller to a memory device, wherein the multi-cycle command indicates an access to a bank of the memory device.
Selon un mode de réalisation, une instruction multi-cycle est échangée d'un contrôleur de mémoire à un dispositif de mémoire, l'instruction multi-cycle indiquant un accès à un banc du dispositif de mémoire.
In order to realize a high-speed addressing, an address signal is wired from a memory controller to each module, and a directional coupler is used in each module.
Afin d'exécuter un adressage à vitesse élevée, un signal d'adresse est acheminé à partir d'une unité de commande de mémoire vers chaque module et un coupleur directionnel est utilisé dans chaque module.
an example embodiment includes receiving a memory request from a memory controller over a channel
a method of refreshing memory banks of a memory device that receives command signals from a memory controller
un procédé permettant de rafraîchir des blocs mémoire d'un dispositif de mémoire recevant des signaux de commande d'un contrôleur de mémoire
the first memory device receives a configuration signal from a memory controller, and generates a registered signal from the configuration signal for the second memory device
le premier dispositif de mémoire reçoit un signal de configuration provenant d'un dispositif de commande de mémoire, et génère un signal enregistré à partir du signal de configuration pour le second dispositif de mémoire
a memory system couples command, address or write data signals from a memory controller to a memory device and read data signals from the memory device to the memory controller
un système mémoire couple des signaux de données de commandes, d'adresses ou d'écriture d'un contrôleur de mémoire à un dispositif mémoire, et des signaux de données de lecture du dispositif mémoire au contrôleur de mémoire
the present embodiments provide a memory system which is configured to send a request from a memory controller to a memory device, wherein the request includes independent activate and precharge commands
les présents modes de réalisation comprennent un système de mémoire qui est configuré pour envoyer une demande d'une unité de commande de mémoire à un dispositif de mémoire, la demande comprenant des commandes indépendantes d'activation et de préchargement
The buffer (205) is configured to store memory transaction responses received from a memory controller (130) in a plurality of addressable locations.
Le tampon (205) est conçu pour stocker des réponses de transaction de mémoire reçues à partir d'une unité de commande de la mémoire (130) dans une pluralité d'emplacements adressables.
Techniques and mechanisms for exchanging information from a memory controller to a memory device via a command/address bus.
L'invention concerne des techniques et des mécanismes d'échange d'informations depuis un dispositif de commande de mémoire vers un dispositif de mémoire par le biais d'un bus de commandes/d'adresses.
During execution of a self-refresh mode, the DRAM device may receive a signal (e.g., a device enable signal) from a memory controller operatively coupled to the DRAM device.
Pendant l'exécution d'un mode d'auto-rafraîchissement, le dispositif de mémoire DRAM peut recevoir un signal (par exemple, un signal de validation de dispositif) d'un contrôleur de mémoire couplé fonctionnellement au dispositif de mémoire DRAM.
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