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i-type amorphous semiconductor layer
Vertaling van "i-type amorphous semiconductor layer" in Frans
couche semi-conductrice amorphe de type i
A second crystalline semiconductor layer (13 pc) is situated between the first crystalline semiconductor layer (13nc) and the i-type amorphous semiconductor layer (12ia).
Une deuxième couche semi-conductrice cristalline (13pc) est placée entre la première couche semi-conductrice cristalline (13nc) et la couche semi-conductrice amorphe de type i (12ia).
An upper lead-out part (53) containing an i-type amorphous semiconductor layer (50) and an n-type amorphous semiconductor layer (52) is then formed in the opening, and an electrode (70) is provided thereon.
Une partie sortie supérieure (53) contenant une couche semi-conductrice amorphe de type i (50) et une couche semi-conductrice amorphe de type n (52) est ensuite formée dans l'orifice, ce qui crée sur celle-ci une électrode (70).
The photoelectric conversion unit (10) has a substrate (11) composed of a semiconductor material, and a substantially intrinsic i-type amorphous semiconductor layer (12).
L'unité de conversion photoélectrique (10) possède un substrat (11) fait d'un matériau semi-conducteur et une couche semi-conductrice amorphe de type i (12) substantiellement intrinsèque.
The i-type amorphous semiconductor layer (12) is disposed between the substrate (11) and the electrodes, i.e., the p-side electrode (22) and the n-side electrode (21).
La couche semi-conductrice amorphe de type i (12) est disposée entre le substrat (11) et les électrodes, à savoir l'électrode côté p (22) et l'électrode côté n (21).
In an i-type amorphous semiconductor layer (12) portion positioned between the n-side electrode (21) and the substrate (11), an n-type dopant is diffused, and a crystallized n-type region (12n) is provided.
Dans une partie de la couche semi-conductrice amorphe de type i (12) placée entre l'électrode côté n (21) et le substrat (11), un dopant de type n est diffusé et une région cristallisée de type n (12n) est formée.
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