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isb absorption
Vertaling van "isb absorption" in Frans
absorption ISB
I show that the utilization of step quantum wells allows to tune the ISB absorption frequency to the THz.
Je montre que l'utilisation de puits quantiques à marche de potentiel permet d'accorder l'absorption ISB dans le THz.
Such m-plane structures showed room-temperature ISB absorption tunable in the 4.0-5.8 µm MWIR range, but still with structural defects.
Ces structures plan m montrent de l'absorption ISB à température ambiante dans la gamme MWIR 4.0-4.8 µm, mais présentent toujours des défauts de structure.
In the case of nanowires, we obtained a record ISB absorption linewidth in the order of 200 meV.
Dans le cas des nanofils, nous avons obtenu une largeur de ligne d'absorption ISB record de l'ordre de 200 meV.
Achieving efficient ISB absorption at longer wavelengths requires heavy silicon doping of the quantum wells, so that the single-particle theory leads to a large discrepancy with the experimental results.
Pour obtenir une absorption ISB efficace, on a besoin de niveaux élevés de dopage au silicium dans le puits quantiques, situation dans laquelle les théories à une particule conduisent à des déviations significatives par rapport aux résultats expérimentaux.
Using GaN/AlN nanowire heterostructures, we varied the GaN well width from 1.5 to 5.7 nm, which led to a red shift of the ISB absorption from 1.4 to 3.4 µm.
En utilisant des hétérostructures de nanofils GaN / AlN, nous avons fait varier la largeur du puits GaN de 1,5 à 5,7 nm, ce qui a conduit à un décalage rouge de l'absorption ISB de 1,4 à 3,4 μm.
Finally, the first observation of far-infrared (4.2 THz) ISB absorption in III-nitrides is reported.
Finalement, on décrit la première observation de l'absorption ISB dans l'infrarouge lointain (4.2 THz) utilisant des nanostructures à base de semi-conducteurs nitrures.
As a result, the studied m-plane structures displayed an excellent crystalline quality, without extended defects, and showed low-temperature ISB absorption in the 6.3 to 37.4 meV (1.5 to 9 THz) range.
Les structures plan m étudiées présentent une excellente qualité cristalline, sans défauts de structures, et présentent de l'absorption intersousbande à basse température entre 6.3 et 37.4 meV (1.5 et 9 THz).
Within this study, we reported the first observation of ISB absorption in Ge-doped GaN/AlN quantum wells and in Si-doped GaN/AlN nanowire heterostructures.
Dans cette étude, nous rapportons la première observation de l'absorption d'ISB dans des puits quantiques GaN / AlN dopés au Ge et dans des hétérostructures de nanofils GaN / AlN dopés au Si.
I show that the utilization of step quantum wells allows to tune the ISB absorption frequency to the THz.
Je montre que l'utilisation de puits quantiques à marche de potentiel permet d'accorder l'absorption ISB dans le THz.
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Synoniemen voor isb absorption in het Engels
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