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couche tampon métallique
couche de tampon métallique
couche tampon en métal
a metal buffer layer formed of cr, cu or the like was vapor deposited on a sapphire substrate.
on a déposé à la vapeur une couche tampon métallique constituée de cr, cu, par exemple, sur un substrat de saphir
The solar cell includes an n-type or p-type amorphous silicon layer, a transparent electrode, and a metal buffer layer between the transparent electrode and the amorphous silicon layer.
Cette pile photovoltaïque contient une couche de silicium amorphe dopé N ou P, une électrode transparente, et une couche tampon métallique entre l'électrode transparente et la couche de silicium amorphe.
a substrate comprising a metal buffer layer formed by vapor deposition on a sapphire substrate is nitrided in an ammonia gas atmosphere to form a metal nitride layer
on a nitruré dans une atmosphère de gaz ammoniaque un substrat composé d'une couche tampon métallique produite par évaporation sous vide sur un substrat de saphir, de manière à obtenir une couche de métal
when the transparent electrode contains zinc oxide, the metal buffer layer contains at least one of b, al, ga, and zn.
quand l'électrode transparente contient de l'oxyde de zinc, la couche tampon métallique contient l'un au moins des métaux que sont le bore, l'aluminium (al), le gallium (ga) et le zinc (zn).
a GaN-based thin film (thick film) is grown using a metal buffer layer grown on a substrate.
on effectue le tirage d'une couche mince à base GaN (couche épaisse) au moyen d'une couche tampon métallique tirée sur un substrat
When the transparent electrode contains indium tin oxide (ITO), the metal buffer layer contains at least one of In and Sn.
Quand l'électrode transparente contient un oxyde double d'indium et d'étain ou "ITO" (Indium Tin Oxyde), la couche tampon métallique contient au moins de l'indium ou de l'étain.
The emitting optical fiber (48a) has a metal buffer layer.
This semiconductor device includes a semiconductor element and a metal buffer layer electrically connected to the semiconductor element.
La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs qui comprend un élément de semi-conducteur et une couche de tampon métallique connectée électriquement à l'élément de semi-conducteur.
ELECTRONIC DEVICE COMPRISING NANOWIRE(S), PROVIDED WITH A TRANSITION METAL BUFFER LAYER, METHOD FOR GROWING AT LEAST ONE NANOWIRE AND METHOD FOR PRODUCING A DEVICE
DISPOSITIF ELECTRONIQUE A NANOFIL(S) MUNI D'UNE COUCHE TAMPON EN METAL DE TRANSITION, PROCEDE DE CROISSANCE D'AU MOINS UN NANOFIL, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITF
In this semiconductor device, the metal buffer layer and the semiconductor element are connected with each other in such a form that the metal buffer layer and the semiconductor element are in surface contact with each other.
Dans ce dispositif à semi-conducteurs, la couche de tampon métallique et l'élément de semi-conducteur sont connectés l'un à l'autre dans une telle forme que la couche de tampon métallique et l'élément de semi-conducteur sont en contact de surface l'un avec l'autre.
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