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multi-bit memory cell
Vertaling van "multi-bit memory cell" in Frans
cellules mémoire multibit
One embodiment has the sample taken from one bit of each multi-bit memory cell of a group.
Dans un mode de réalisation, l'échantillon est sélectionné à partir d'un bit de chaque cellule de mémoire à bits multiples d'un groupe.
Memory states of a multi-bit memory cell are demarcated by generating read reference signals having levels that constitute boundaries of the memory states.
On délimite les états de mémoire d'une cellule de mémoire multi-bits en générant des signaux de référence de lecture ayant des niveaux qui constituent des frontières entre les états de mémoire.
This invention is generally concerned with multi-bit memory cell structures, and memory devices incorporating such structures, as well as with related methods.
La présente invention concerne globalement des structures de cellules mémoire multibit et des dispositifs mémoire comprenant de telles structures ainsi que des procédés correspondants.
an improved multi-bit memory cell includes a storage capacitor and a switching element coupled to one of the terminals of the capacitor
une mémoire multi-bit comportant un condensateur de stockage et un élément de commutation relié à l'une des bornes du condensateur
memory apparatus including programmable non-volatile multi-bit memory cell, and apparatus and method for demarcating memory states of the cell
dispositif mémoire comportant des cellules de mémoire multi-bits, non volatile, programmable, et appareil et procédé permettant de délimiter les états de mémoire d'une cellule
a multi-bit memory cell with a control gate for controlling a middle portion of a channel region provides improved operation including faster programming at smaller voltages and currents
une cellule de mémoire à bits multiples comportant une grille de commande destinée à commander la partie médiane d'une région de canal, qui fournit un fonctionnement amélioré incluant une programmation plus rapide à des tensions et à des courants plus faibles
a method of overerase correction of a multi-bit memory cell by applying a soft programming pulse having a ratio of vg/vd >= 2 to overease bits.
un procédé de correction de sureffacement d'une cellule à mémoire multibit, par application d'une impulsion de programmation souple qui présente un rapport de vg/vd supérieur ou égal à 2 bits de sureffacement.
more particularly the invention relates to the use of multiferroics in such structures and devices. a multi-bit memory cell structure is described
cette invention porte plus particulièrement sur l'utilisation de multiferroïques dans de telles structures et de tels dispositifs
MULTI-BIT MEMORY CELL STRUCTURES AND DEVICES
STRUCTURES DE CELLULES MÉMOIRE MULTIBIT ET DISPOSITIFS COMPRENANT CES DERNIÈRES
MULTI-BIT MEMORY CELL HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR, AND METHOD OF PROGRAMMING AND READING SAME
CELLULE MÉMOIRE MULTIBITS AVEC TRANSISTORS À CORPS ÉLECTRIQUEMENT FLOTTANT ET MÉTHODE DE PROGRAMMATION ET DE LECTURE DE CELLE-CI
MULTI-BIT MEMORY CELL STRUCTURES AND DEVICES
STRUCTURES DE CELLULES MÉMOIRE MULTIBIT ET DISPOSITIFS COMPRENANT CES DERNIÈRES
MULTI-BIT MEMORY CELL HAVING ELECTRICALLY FLOATING BODY TRANSISTOR, AND METHOD OF PROGRAMMING AND READING SAME
CELLULE MÉMOIRE MULTIBITS AVEC TRANSISTORS À CORPS ÉLECTRIQUEMENT FLOTTANT ET MÉTHODE DE PROGRAMMATION ET DE LECTURE DE CELLE-CI
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