Vertaling van "multi-gate" in Frans
We konden deze vermelding niet vinden. Er worden benaderende resultaten weergegeven. Controleer je spelling of stel voor deze term aan het woordenboek toe te voegen.
The present invention provides a method and a system based on a multi-gate filed effect transistor for sensing molecules in a gas or liquid sample.
La présente invention concerne un procédé et un système basé sur un transistor à effet de champ à grilles multiples destinés à détecter des molécules dans un échantillon de gaz ou de liquide.
During outputting operation, the two transistors operate as a multi-gate transistor, so that the current value during the outputting operation can be small.
Pendant l'opération de sortie, les deux transistors fonctionnent sous forme de transistor à grilles multiples, de sorte que la valeur de courant pendant cette opération peut être faible.
multi-gate transistor formed with active patterns of uniform critical dimension and fabricating method therefor
transistor multigrille à motifs actifs de dimension critique uniforme et procédé de fabrication correspondant
For fabricating a multi-gate transistor, at least one active pattern having uniform critical dimension is formed.
Aux fins de l'invention, pour la fabrication d'un transistor multigrille, on établit au moins un motif actif de dimension critique uniforme.
The multi-gate FET may comprise various types of high-electron-mobility transistor (HEMT) devices, e.g., (pseudomorphic) pHEMT, (metamorphic) mHEMT, induced HEMT.
Le FET à plusieurs grilles peut comporter divers types de dispositifs à transistor à haute mobilité électronique (HEMT), par exemple pHEMT (pseudomorphique), mHEMT (métamorphique), HEMT induit.
A multi-gate Schottky depletion-mode field effect transistor (FET), at least one diode and two resistors comprise a compact electrostatic discharge (ESD) protection structure.
Selon l'invention, un transistor à effet de champ (FET) à mode d'appauvrissement Schottky à plusieurs grilles, au moins une diode et deux résistances constituent une structure compacte de protection contre les décharges électrostatiques (ESD).
Disclosed is a triple-gate or multi-gate component based on the quantum mechanical tunneling effect.
L'invention concerne un composant triple grille ou multigrille présentant l'effet tunnel de la mécanique quantique.
The structure may be an organic, thin-film semiconductor device including, without limitation, a transistor, a multi-gate transistor, a thyristor, and the like.
La structure peut être un dispositif semi-organique à film mince comprenant, entre autres, un transistor, un transistor multigrille, un thyristor et analogue.
The multi-gate configuration can be a two-, three-, or four-gate configuration.
La configuration multigrille peut être une configuration à 2, 3 ou 4 grilles.
a heterostructured field effect transistor has a multi-gate configuration, in which the gate voltages are individually biased to tailor the potential field
un transistor à effet de champ hétérostructuré présentant une configuration multigrille, dans laquelle les tensions de grille sont polarisées individuellement afin de s'adapter au champ potentiel
the invention relates to a light phase modulator, which is based on a multi-gate transistor, sandwiching a silicon-on-insulator nanowire used as an optical waveguide.
cette invention concerne un modulateur de phase optique qui repose sur un transistor à grilles multiples qui comprend un nanofil en silicium sur isolant utilisé comme guide d'onde optique.
the multi-gate electrode structure can have a sidewall spacer structure having first and second portions
la structure d'électrode à grilles multiples peut comprendre une structure d'espacement de parois latérales constituée d'une première partie et d'une seconde partie
during the method a second gate electrode material is selectively removed from a semiconductor structure from which the multi-gate transistor is formed, thereby exposing at least one surface of a first gate electrode material
au cours du procédé, un second matériau d'électrode grille est éliminé de façon sélective à partir d'une structure semi-conductrice à partir de laquelle le transistor à grilles multiples est formé, exposant ainsi au moins une surface d'un premier matériau d'électrode grille