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mémoire flash à plusieurs niveaux
mémoire flash multi-niveau
mémoire flash multiniveau
mémoire flash à multiniveaux
mémoire flash à multiples niveaux
method and system for reducing soft-writing in a multi-level flash memory
apparatus for coding at a plurality of rates in multi-level flash memory systems, and methods useful in conjunction therewith
appareil pour le codage avec une pluralité de vitesses dans des systèmes de mémoires flash à niveaux multiples et procédés utiles associés
Secret data in the information is stored in intermediate states of the multi-level flash memory between the minimum and maximum voltage level states.
Les données secrètes contenues dans les informations sont stockées dans des étages intermédiaires de la mémoire flash multi-niveau entre les étages de niveau de tension minimum et maximum.
The invention is a method and system in which an authentication chip having secret information stored within it, including secret data stored in multi-level flash memory, is protected from unauthorised modification of values stored in the flash memory.
L'invention concerne un procédé et un système renfermant une puce d'authentification qui stocke des informations secrètes comprenant des données secrètes stockées dans une mémoire flash multi-niveau, et qui est protégée contre la modification non autorisée de valeurs stockées dans ladite mémoire flash.
the novel systems may include at least multi-level memory cells, which may be multi-level flash memory cells, and a computation block operatively coupled to the multi-level memory cells
les nouveaux systèmes peuvent comprendre au moins des cellules de mémoire à plusieurs niveaux, qui peuvent être des cellules de mémoire flash à plusieurs niveaux, et un bloc de calcul couplé de manière opérationnelle aux cellules de mémoire à plusieurs niveaux
Configuration of a multi-level flash memory device
Methods (400) of programming a word line of multi-level flash memory cells (MLB) having three or more data levels per bit corresponding to three or more threshold voltages (300) are provided.
La présente invention concerne des procédés (400) de programmation d'un canal mot de cellules de mémoire flash multiniveau (MLB) ayant au moins trois niveaux de données par bit correspondant à au moins trois tensions de seuil (300).
methods of erasing a sector of multi-level flash memory cells (MLB) having three or more data states to a single data state are provided
la présente invention a trait à des procédés d'effacement d'un secteur de cellules de mémoire flash multiniveaux (MLB) comportant au moins trois états de données vers un état de données unique
METHOD AND SYSTEM FOR REDUCING SOFT-WRITING IN A MULTI-LEVEL FLASH MEMORY
in accordance with exemplary embodiments, a multi-level flash memory employs error correction of systematic errors when reading multi-level flash memory
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