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puits quantiques multiples
multiples puits quantiques
plusieurs puits quantiques
pluralité de puits quantiques
puits quantiques
Both segments belong to a single structure having multiple quantum wells.
Ces deux segments appartiennent à une même structure à puits quantiques multiples.
In parallel, researchers developed solar cells based on semiconductor nanostructures, including multiple quantum wells and quantum dots.
Les chercheurs ont développé en parallèle, des cellules solaires basées sur des nanostructures semi-conductrices incluant des puits quantiques multiples et des points quantiques.
The structure includes multiple quantum wells having a defect part intentionally introduced in the central part of the structure.
La structure comporte de multiples puits quantiques possédant une partie défectueuse introduite volontairement dans la partie centrale de la structure.
The active region may include multiple quantum wells separated by barrier layers, and the p-type extension penetrates at least one of the quantum well layers.
Cette dernière peut comporter de multiples puits quantiques séparés par des couches barrière et l'extension de type p pénètre dans au moins une des couches à puits quantiques.
Semiconductor lasers (10) utilize strain-compensated multiple quantum wells (20) to increase gain in long wavelength (1.3 and 1.5 microns) devices.
Laser semi-conducteur (10) utilisant plusieurs puits quantiques (20) à contrainte compensée pour augmenter le gain dans des dispositifs à grande longueur d'onde (1,3 et 1,5 microns).
The main objective of the PhD project is to develop solar cells based on nitride semiconductor material (InGaN layer or multiple quantum wells (MQW) as absorber) for their enhanced efficiency in the blue-green region of the solar spectrum.
L'objectif principal du projet de thèse est de développer des cellules solaires à base de matériau semiconducteur nitrures (couche ou plusieurs puits quantiques (MQW) à base d'InGaN comme absorbeur) pour leur efficacité accrue dans la région bleu-vert du spectre solaire.
texturing in the region of multiple quantum wells greatly enhances internal quantum efficiency if the semiconductor is polar and the quantum wells are grown along the polar direction
la texturation de la zone formée de multiples puits quantiques améliore de manière significative l'efficacité quantique interne si le semi-conducteur est polaire et les puits quantiques sont formés le long de la direction polaire
A broadband medium (100) for a laser (300) having multiple quantum wells (130).
L'invention concerne un milieu large bande (100) pour un laser (300) ayant puits quantiques multiples (130)
The disclosed invention provides an improved, high speed, high resolution, semiconductor drive-compatible, spatial light modulator using multiple quantum wells.
L'invention permet de réaliser un modulateur spatial de lumière amélioré, à grande vitesse doté d'une résolution élevée et compatible pour l'excitation à semi-conducteurs, caractérisé par des puits quantiques multiples.
a light emitting diode and a method of fabricating a light emitting diode. the diode comprises a first set of multiple quantum wells (MQWs)
une diode électroluminescente et un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente. la diode comprend un premier ensemble de multiples puits quantiques (MQW)
a ill-nitride film, grown on an m-plane substrate, includes multiple quantum wells (MQWs) with a barrier thickness of 27.5 nm or greater and a well thickness of 8 nm or greater
un film de nitrure du groupe III, qu'on fait croître sur un substrat à plan m; il comprend des puits quantiques multiples MQW) d'une épaisseur de barrière de 27,5 nm ou supérieure et une épaisseur de puits de 8 nm ou supérieure
A near bandgap radiation modulation spatial light modulator (NBRM-SLM) using multiple quantum wells (MQWs) (34).
Modulateur spatial de lumière à modulation de radiation à des énergies voisines de l'intervalle de bande du semi-conducteur (NBRM-SLM), dans lequel sont utilisés des puits quantiques multiples (MQW) (34).
A method of fabricating non-polar a-plane GaN/ (A1,B, In, Ga)N multiple quantum wells (MQWs).
L'invention concerne un procédé destiné à la fabrication de puits quantiques multiples (MQW) de GaN / (Al, B, In, Ga) plan a non polaires.
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