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n-type base layer
Vertaling van "n-type base layer" in Frans
couche de base de type n
A mesa-shaped p-type anode emitter layer is formed in the central region of the n-type base layer.
Une couche d'émetteur d'anode de type p de forme mesa est formée dans la zone centrale de la couche de base de type n.
In certain embodiments, the second doped p-type region may extend to the edges of the wafer's n-type base layer.
Selon certains modes de réalisation, la seconde région dopée de type P peut s'étendre vers les bords de la couche de base de type N de la tranche.
The second n-type base layer penetrates a second deficient section arranged on a high-concentration gate layer and a low-concentration p-type deposition layer formed thereon, and reaches an n-type drift layer of the second deficient section.
La seconde couche de base de type n pénètre dans une seconde section déficiente placée sur une couche de grille à forte concentration et une couche de dépôt de type p à faible concentration par-dessus et atteint une couche de déplacement de type n de la seconde section déficiente.
the n - type base layer has an n type impurity at a concentration lower than that in the n-type base layer
la couche de base de type n - a une impureté de type n en une concentration inférieure à celle présente dans la couche de base de type n
a p-type high-resistance layer and an n-type base layer are sequentially epitaxial-grown on a p-type SiC substrate
une couche à haute résistance de type p et une couche de base de type n sont produites en séquence par croissance épitaxiale sur un substrat SiC de type p
A second n-type base layer is formed on the built-in Shottky diode region by converting (inverting) the p-type deposition layer into n-type by n-type impurity ion implantation from the surface.
Une seconde couche de base de type n est formée sur la région de diode de Schottky intégrée en convertissant (inversant) la couche de dépôt de type p en type n par une implantation d'ions à impuretés de type n depuis la surface.
A low on-resistance Shottky diode constituted with a source electrode connected by forming a Schottky barrier is incorporated in a surface exposed portion of the second n-type base layer.
Une diode de Schottky à faible résistance constituée d'une électrode source reliée en formant une barrière de Schottky est incorporée dans une partie exposée de surface de la seconde couche de base de type n.
Woord & uitdrukking van de dag
Afbeelding van de dag
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