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and an n-type diffusion layer to be a source/drain region is formed within surface regions of the silicon substrate
une couche de diffusion de type n destinée à servir de région source/drain est constituée à l'intérieur des zones de surface du substrat de silicium
A solar cell element having the n-type diffusion layer or p-type diffusion layer is produced.
De cette manière sont produits des éléments de cellule photovoltaïque à couche de diffusion de type n ou à couche de diffusion de type p.
a step of forming a front electrode in contact with the n-type diffusion layer by firing the silicon substrate
la formation d'une électrode avant en contact avec la couche de diffusion de type n par la cuisson du substrat de silicium
By applying the composition for impurity diffusion layer formation and subjecting the applied composition to a thermal diffusion treatment, an n-type diffusion layer or a p-type diffusion layer is produced.
Lorsque la composition est appliquée en vue de la formation d'une couche de diffusion d'impuretés et est soumise à un traitement de diffusion thermique, une couche de diffusion de type n ou une couche de diffusion de type p sont formées.
to form recessed portions such that the high-concentration n-type diffusion layer is not left in the recessed portion forming region
afin de former des parties renfoncées de telle sorte que la couche de diffusion à forte concentration de type n ne soit pas laissée dans la région de formation de partie renfoncée
the first barrier layer has an n-type diffusion layer and the second barrier layer has a p-type diffusion layer
la première couche barrière possède une couche de diffusion de type n et la seconde couche barrière possède une couche de diffusion de type p
the method includes a step of forming an n-type diffusion layer by diffusing an n-type impurity on a light incoming surface of a p-type silicon substrate
le procédé comprend une étape de formation d'une couche de diffusion de type n en diffusant une impureté de type n sur une surface d'entrée de lumière d'un substrat en silicium de type p
the photovoltaic power device has a concavity provided at a predetermined interval in such a manner that the concavity reaches from the upper surface of the low resistance n-type diffusion layer to the silicon substrate
le dispositif d'alimentation photovoltaïque présente une concavité réalisée à un intervalle prédéterminé de telle sorte que la concavité s'étend de la surface supérieure de la couche de diffusion de type n à faible résistance au substrat en silicium
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