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réseau de mémoire flash NON-ET
The present invention relates to a NAND flash memory array having vertical channels and sidewall gate structure and a fabricating method of the same.
La présente invention concerne un réseau de mémoire flash NON-ET à canaux verticaux et à structure de grille de paroi latérale ainsi qu'un procédé de fabrication correspondant.
Word lines of a NAND flash memory array are formed by concentric, rectangular shaped, closed loops that have a width of approximately half the minimum feature size of the patterning process used.
Les lignes de mots d'un réseau de mémoire flash NON-ET sont formées par des boucles fermées concentriques et rectangulaires ayant une largeur sensiblement de la moitié de la taille du trait minimum du procédé de création de motifs.
Narrow word lines are formed in a NAND flash memory array using a double patterning process in which sidewall spacers define word lines.
Selon la présente invention, des lignes de mots étroites sont formées dans un réseau de mémoire flash NON-ET en utilisant un processus de double modélisation dans lequel des séparateurs de paroi latérale définissent des lignes de mots.
A NAND flash memory array of the present invention has insulator strip structure and one or more semiconductor strips are next to the both sides of the insulator strip.
Le réseau de mémoire flash NON-ET de la présente invention comporte une structure de bande isolante et une ou plusieurs bandes semiconductrices bordent les deux côtés de la bande isolante.
A method for fabricating the NAND flash memory array having a pillar structure, which uses the conventional CMOS process and an etching process with minimum masks, enables to cut down costs.
Un procédé de fabrication du réseau de mémoire flash NON-ET à structure en pilier, qui utilise le procédé CMOS conventionnel et un procédé de gravure à masques minimaux, permet de réduire les coûts.
NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING PILLAR STRUCTURE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME
RÉSEAU DE MÉMOIRE FLASH NON-ET À STRUCTURE EN PILIER, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
This allows the NAND Flash memory array to be designed with smaller circuit designs and/or smaller circuit feature elements.
Ceci permet à l'ensemble de mémoire flash NAND d'être conçu avec des circuits plus petits et/ou des éléments caractéristiques de circuits plus petits.
the NAND flash memory device includes a NAND flash memory array defined as a plurality of sectors
le dispositif de mémoire flash NAND comprend un réseau de mémoire flash NAND défini comme une pluralité de secteurs
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING STACKED ARRAY STRUCTURE, NAND FLASH MEMORY ARRAY USING SAME AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS À STRUCTURE EN RÉSEAUX EMPILÉS, RÉSEAU DE MÉMOIRE FLASH DE TYPE NON-ET UTILISANT CE DISPOSITIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
NAND FLASH MEMORY ARRAY HAVING PILLAR STRUCTURE AND FABRICATING METHOD OF THE SAME
RÉSEAU DE MÉMOIRE FLASH NON-ET À STRUCTURE EN PILIER, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
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