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of a semiconductor device using
Vertaling van "of a semiconductor device using" in Frans
d'un dispositif à semi-conducteurs au moyen
the leakage current of a semiconductor device using polycrystalline thin film is reduced
de réduire le courant de fuite d'un dispositif semi-conducteur à l'aide d'une couche polycristalline mince
Disclosed herein is an apparatus and method for inspecting the via holes of a semiconductor device using electron beams.
La présente invention concerne un appareil et un procédé conçus pour inspecter les trous d'interconnexion d'un dispositif à semi-conducteur au moyen de faisceaux électroniques.
Disclosed is a pressure-sensitive adhesive tape which enables to adequately prevent resin leakage during a sealing process in production of a semiconductor device using a metal lead frame.
La présente invention concerne un ruban adhésif autocollant qui permet d'empêcher de façon adéquate une fuite de résine pendant un processus de fermeture hermétique dans la production d'un dispositif semi-conducteur en utilisant une grille de connexion métallique.
a method of removing spontaneous oxide from contact holes of a semiconductor device using a microwave-excited reactive gas
un procédé permettant d'éliminer l'oxyde spontané au niveau des trous de contact d'un semiconducteur, et ce au moyen d'un gaz réactif excité par micro-ondes
Disclosed are a polymer for coating a photoresist pattern, which can improve the resolution of a lithography process, and a method for forming a pattern of a semiconductor device using the polymer.
L'invention concerne un polymère pour revêtir un motif de photorésine, qui peut améliorer la résolution d'un procédé de lithographie, ainsi qu'un procédé pour former un motif d'un dispositif à semi-conducteurs au moyen du polymère.
a silicon carbide substrate with which manufacturing cost of a semiconductor device using the silicon carbide substrate can be reduced is provided with
l'invention porte sur un substrat en carbure de silicium grâce auquel le coût de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs utilisant le substrat en carbure de silicium peut être réduit, lequel substrat comprend
Provided is a device mounting structure which can use merits of low power consumption and high-speed response characteristics of a semiconductor device using GaN.
L'invention concerne une structure de montage de dispositif qui peut utiliser les mérites d'une faible consommation de puissance et de caractéristiques de réponse rapide d'un dispositif semi-conducteur utilisant du GaN.
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