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de la couche d'arrêt de gravure
to create an exposed part of the etch stop layer
afin de créer une partie exposée de la couche d'arrêt
a portion of the etch stop layer
une partie de la couche d'arrêt de gravure
Next, the present embodiment selectively removes portions of the blanket coating of the etch stop layer material.
Le procédé consiste ensuite à retirer de façon sélective des parties du revêtement de couverture de la matière de couche d'arrêt de gravure.
for receiving said fluid, formed in the substrate and provided on the second side of the etch stop layer.
pour recevoir ledit fluide, réalisés dans le substrat, d'un deuxième côté de la couche d'arrêt de gravure.
The method and system also include removing a portion of the insulator above the magnetic storage stack, exposing a portion of the etch stop layer.
Le procédé et le système comprennent également le retrait d'une partie de l'isolant au-dessus de la pile de stockage magnétique et l'exposition d'une partie de la couche d'arrêt de gravure.
A window is etched, through a selected region in the dielectric layer over the control electrode, to expose a portion of the etch stop layer disposed over the control electrode.
Une fenêtre est gravée, à travers une zone sélectionnée dans la couche diélectrique au-dessus de l'électrode de régulation, pour découvrir une partie de la couche d'arrêt de gravure disposée au-dessus de l'électrode de régulation.
being removed by means of etching and also an adjoining portion of the etch stop layer
étant supprimée au moyen d'une gravure de même qu'une partie adjacente de la couche d'arrêt de gravure
the lithographic template is formed having a substrate, an optional etch stop layer formed on a surface of the substrate, and a patterning layer formed on a surface of the etch stop layer
ce modèle lithographique comprend un substrat, une couche anti-corrosion facultative formée sur une surface du substrat et une couche d'impression formée sur une surface de la couche anti-corrosion
sacrificial sidewalls are then formed within the aperture. the exposed etch stop layer is then removed by wet etching, the positioning of the sidewalls serving to prevent undercutting of the etch stop layer
des parois latérales sacrificielles sont ensuite formées dans l'ouverture, puis la couche d'arrêt d'attaque exposée est éliminée par attaque par voie humide, la disposition des parois latérales servant à empêcher la formation de découpes sous-jacentes dans la couche d'arrêt d'attaque
A metal layer (34) is formed on a portion of the etch stop layer, and the dielectric layer is also formed on the metal layer.
Une couche de métal (34) est formée sur une partie de la couche d'arrêt de gravure et la couche diélectrique est aussi formée sur la couche de métal.
the central portion of the etch stop layer is removed from the inner surface of the monocrystalline layer, and the exposed central portion of the layer is uniformly thinned to approximately 400 angstroms using plasma assisted chemical etching
la partie centrale de la couche d'arrêt de gravure est enlevée de la surface interne de la couche monocristalline, et la partie centrale exposée de ladite couche est amincie uniformément à une épaisseur de 400 angstroms environ par gravure chimique au plasma
Selected portions of the etch stop layer are removed to expose the protection surface of the composite protection/metal line and portions of the boundary layer, while leaving the etch stop spacers (228).
Certaines parties de la couche d'arrêt d'attaque sont éliminées de sorte que la surface de protection de la ligne métallique/de protection composite et des parties de la couche limite soit exposée, mais les entretoises d'arrêt d'attaque (228) sont laissées en place.
The FET further comprises a semiconductor layer of a second type situated under the second segment of the etch stop layer.
Le FET comprend en outre une couche de semi-conducteur d'un deuxième type positionné sur le deuxième segment de la couche d'arrêt de gravure.
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