Vertaling van "over-etching" in Frans
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silicon oxynitride spacer for preventing over-etching during local interconnect formation
séparation en oxynitrure de silicium destinée à empêcher une attaque excessive pendant la réalisation d'interconnexions locales
Preferably, a thickness of the semiconductor buffer layer is selected to compensate for over-etching due to non-uniform etching on a semiconductor wafer on which the electronic device is fabricated.
De préférence, l'épaisseur de la couche tampon semi-conductrice est choisie pour compenser la surgravure résultant de la gravure non uniforme de la plaquette semi-conductrice sur laquelle est fabriqué le dispositif électronique.
thereby undercuts of the polysilicon layer and undue pre-etching of the polysilicon layer during tungsten layer over-etching are avoided. as a consequence, conductor lines with precisely shaped vertical sidewalls are etched.
l'invention permet d'éviter que la couche de silicium polycristallin soit attaquée et pré-gravée abusivement au cours du processus de surgravure de la couche de tungstène, et elle permet par conséquent de graver des lignes conductrices présentant des parois latérales verticales de forme précise.
the etch stop 104b may reduce undesirable over-etching of the sacrificial layer and the electrode 14a, 14b, 14c
la couche d'arrêt de gravure peut réduire une gravure excessive indésirable de la couche sacrificielle et de l'électrode
according to the present invention, over-etching to the substrate on the deposited polysilicon emitter is prevented by providing additional oxide beneath a polysilicon layer as an etch stop
selon la présente invention, la mise en place d'oxyde supplémentaire sous une couche de polysilicium servant d'arrêt au réactif d'attaque empêche la surattaque du substrat sur l'émetteur de polysilicium
The compositions effectively remove the photoresist and/or post-etch residue material from the microelectronic device without substantially over-etching the underlying silicon-containing layer(s) and metallic interconnect materials.
Les compositions assurent l'élimination efficace de photorésine et/ou de matériau résiduel post-gravure à partir du dispositif microélectronique sensiblement sans excès d'attaque de la/des couche(s) sous-jacente(s) contenant de silicium et les matériaux métalliques d'interconnexion.
Such breakage can be caused by microcracks on the wafer, over-etching of grain boundaries or residual saw damage on the surface.
Une telle casse peut être causée par des micro-fissures sur la plaquette, une attaque excessive des limites de grain ou des dommages résiduels sur la surface après le sciage.