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couche de base de type p
and an external base layer adjacent to the p-type base layer are provided
a p-type base layer being divided into a first lower highly doped base sub-layer
une couche de base de type p divisée en une première sous-couche de base inférieure fortement dopée
particularly, the uppermost part of the p-type base layer and the n-type emitter layer are short-lifetime regions where the lifetime of the carriers are shorter than that in the n-type collector layer.
plus particulièrement, la partie supérieure de la couche de base de type p et la couche émettrice de type n sont des zones de courte durée de vie, la durée de vie des porteuses étant plus courte que celle de la couche collecteur de type n.
A highly doped p-type base layer (12) is arranged next to the channel layer at least partially overlapping the gate electrode and being at a lateral distance to the drain region layer.
Une couche de base hautement dopée de type P (12) est située près de la couche canal, recouvrant au moins en partie la gâchette, et à une distance latérale de la couche drain.
The p-type counter layer (7) is formed so as to be shallower than the p-type base layer (4).
La contre-couche de type p (7) est formée de façon à être moins profonde que la couche de base de type p (4).
In an n-p-n device, an acceptor, e.g., Be, is implanted into an n-type collector region (11) supported by a substrate (10) to create a p-type base layer (15).
Dans un dispositif n-p-n, un accepteur, par exemple, du Be, est implante dans une région de collecteur de type n (11) reposant sur un substrat (10) pour créer une couche de base de type p (15).
A groove having a gate structure is substantially formed by the LOCOS method prior to forming the p-type base layer and the n+-type source layer.
A cet effet, une rainure possédant une structure de porte est essentiellement formée par le procédé LOCOS avant la formation de la couche de base type p et de la couche source type n+.
a p-type base layer of an SiGe semiconductor on an n-type collector layer
sont disposées une couche de base de type p d'un semi-conducteur SiGe d'une couche collecteur de type n
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