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p-type impurity diffusion

Vertaling van "p-type impurity diffusion" in Frans

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diffusion d'impuretés de type p
and a film which is formed on the high-concentration p-type impurity diffusion layer
ou un film formé sur la couche de diffusion d'impuretés de type p à haute concentration
the boron radicals which have been introduced are activated by heat treatment, thus forming a p-type impurity diffusion layer in the silicon substrate.
les radicaux de bore qui ont été introduits sont activés par traitement thermique, formant ainsi une couche de diffusion d'impuretés de type p dans le substrat de silicium.
At this time, the electrons flow also into the portion below the p-type impurity diffusion region disposed as a detection portion, and hence, injection of holes occurs at this portion, too.
A ce moment, les électrons passent également dans la partie faisant office de partie de détection au-dessous de la région de diffusion d'impuretés de type p, et de là, l'injection des trous s'effectue également au niveau de cette partie.
disclosed is a method for manufacturing a solar cell which comprises a step for forming a high-concentration p-type impurity diffusion layer
la présente invention concerne un procédé permettant de fabriquer une cellule solaire qui comprend une étape de formation d'une couche de diffusion d'impuretés de type p à haute concentration
a semiconductor device of the invention is formed so that the impurity concentration of a semiconductor substrate under a source diffusion layer is lower than the impurity concentration on a source side of a p-type impurity diffusion layer
on forme un composant à semi-conducteur de sorte que la concentration d'impuretés d'un substrat semi-conducteur sous une couche de diffusion de source soit inférieure à la concentration d'impuretés d'un côté source d'une couche de diffusion d'impuretés de type p
The area ratio of the p-type impurity diffusion regions (3,123) to the surface of the substrate (1,121) is 60 % or more, specifically, more than 80 %.
Le rapport de surface entre les régions de diffusion d'impuretés de type p (3,123) et la surface du substrat (1,121) est de 60 % ou plus, et précisément de plus de 80 %.
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Afbeelding van de dag
lamppost: post supporting a streetlight
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