Interestingly, it happens practically irrespective of functions performed by PMOs.
Intéressant, il se produit pratiquement indépendamment des fonctions exécutées par PMOS.
A floating gate PMOS transistor is inserted in each of the inverters.
Un transistor PMOS à grille flottante est inséré dans chacun des inverseurs.
This applies to internal facing PMOs as well.
Cela s'applique également aux PMO internes.
For instance, most PMOs are responsible for the project management methodology.
Par exemple, la plupart des PMO sont responsables de la méthodologie de gestion de projet.
nonvolatile pmos two transistor memory cell and array
cellule et réseau de mémoire non volatile à deux transistors pmos
pmos transistor strain optimization with raised junction regions
optimisation des tensions d'un transistor pmos présentant des zones de jonction élevées
cmos device having different nitrogen amounts in nmos and pmos gate dielectric layers
dispositif cmos possédant des quantités différentes d'azote dans des couches diélectrique de nmos et pmos
method of making nmos and pmos devices with reduced masking steps
procédé de fabrication de dispositifs nmos et pmos nécessitant un nombre réduit d'étapes de masquage
a flash memory architecture with page mode erase using nmos and pmos row decoding scheme
architecture de mémoire flash à effacement en mode page utilisant des mécanismes de décodage de rangées nmos et pmos
independently programmable memory segments in isolated n-wells within a pmos eeprom array and method therefor
segments de mémoire indépendamment programmables dans des caissons d'isolement n isolés d'un réseau eeprom pmos et procédé afférent
a semiconductor device comprising nmos and pmos transistors with embedded si/ge material for creating tensile and compressive strain
dispositif semi-conducteur comprenant des transistors nmos et pmos et incorporant un matériau à base de si/ge pour créer une déformation en traction et en compression
a new nand-type flash memory device with high voltage pmos and embedded poly and methods of fabricating the same
nouveau dispositif de mémoire de type non-et avec pmos haute tension et silicium polycristallin intégré et procédés de fabrication de ce dispositif
isotropically etching sidewall spacers to be used for both an nmos source/drain implant and a pmos ldd implant
gravure isotrope d'entretoises de paroi latérale à utiliser avec à la fois un implant de source/drain nmos et un implant de drain faiblement dopé pmos