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programme ou d'effacement
programmation ou d'effacement
Provides a software method of detecting program or erase operation completion
When one bank receives a write command, the internal state machine takes control and starts the program or erase operation.
Lorsqu'un bloc reçoit une commande d'écriture, l'automate fini interne prend la commande et commence l'opération de programme ou d'effacement.
the leakage current of each of the lines are measured after predetermined memory events such as program or erase operations
le courant de fuite de chacune des lignes est mesuré après des utilisations de mémoire prédéterminées telles que des opérations de programmation ou d'effacement
By using the polysilicon film as a floating gate of the flash memory device, it is possible to increase a program or erase speed and improve thermal stability, thereby enhancing the reliability of the device.
Le fait d'utiliser le film en polysilicium en tant que grille flottante du dispositif mémoire flash permet d'améliorer la vitesse de programmation ou d'effacement et d'accroître la stabilité à la chaleur, ce qui augmente ainsi la fiabilité du dispositif.
While one bank is busy with a program or erase operation, the other bank can be accessed for a read operation.
Lorsqu'un bloc est occupé à une opération de programme ou d'effacement, l'autre bloc est accessible à une opération de lecture.
This is accomplished by enabling a low voltage detect circuit (110) in response to a program or erase operation being initiated.
Pour ce faire, un circuit de détection de basse tension (110) est activé en réponse au lancement d'une opération de programmation ou d'effacement.
in other embodiments, these methods may also be more generally applied to other conductors (eg, word line or substrate well, for program or erase operations)
dans d'autres modes de réalisation, ces procédés peuvent également être plus généralement appliqués à d'autres conducteurs (par exemple, une ligne de mot ou un puits de substrat, pour des opérations de programmation ou d'effacement)
The control circuit also includes a set of supplemental registers that allow the NAND flash memory logical unit to have redundancy to properly hold state of an interrupted program or erase command.
Le circuit de commande comprend également un ensemble de registres supplémentaires qui permettent à l'unité logique de la mémoire flash NON-ET d'avoir de la redondance afin de conserver correctement l'état d'une instruction de programme ou d'effacement interrompue.
A 12.0 volt VPP is not required for program or erase operations.
12,0 volts VPP ne sont pas exigés pour des opérations de programme ou d'effacement.
The host system can detect whether a program or erase operation is complete by observing the RY/BY# pin, or by reading the DQ7 (Data# Polling) and DQ6/DQ2 (toggle) status bits.
Le système hôte peut détecter si une opération de programme ou d'effacement est complète en observant la goupille de RY/BY#, ou en lisant le peu de statut DQ7 (vote de Data#) et DQ6/DQ2 (à bascule).
When the interrupted program or erase command is to resume, the NAND flash memory logical unit thus can quickly resume the paused program or erase operation.
Lorsque l'instruction de programme ou d'effacement interrompue doit reprendre, l'unité logique de la mémoire flash NON-ET peut ainsi rapidement reprendre l'opération de programme ou d'effacement mise en pause.
After a program or erase cycle is completed, the device automatically returns to the read mode.
Après qu'un programme ou un cycle d'effacement soit accompli, le dispositif revient automatiquement au mode indiqué.
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