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impulsion de programme
impulsion de programmation
impulsions de programme
A program pulse increment can be dropped, then increased, when the bit line voltage is stepped down.
L'incrément d'une impulsion de programme peut chuter puis augmenter pendant la baisse par paliers de la tension de ligne de bits.
Each successive program pulse has one or more program voltages increased by a step value relative to the previous pulse.
Chaque impulsion de programme successive présente une augmentation d'une ou plusieurs tensions de programme par une valeur de pas par rapport à l'impulsion précédente.
The magnitude of the program pulse is chosen to be low enough such that no non-volatile storage elements will be over programmed.
L'amplitude de l'impulsion de programmation est choisie suffisamment faible pour qu'aucun des éléments de stockage non volatils ne fasse l'objet d'une surprogrammation.
Subsequently, when the program pulse is applied to a selected word line and pass voltages are applied to unselected word lines, the channel is boosted higher from the pre-charge level due to capacitive coupling.
Ensuite, lorsque l'impulsion de programmation est appliquée à une ligne de mots sélectionnée et que des transmissions sont appliquées à des lignes de mots non sélectionnées, le canal est surélevé au-dessus du niveau de précharge en raison d'un couplage capacitif.
the boosting mode can be switched based on various criteria such as program pulse number
le mode d'amplification peut être commuté sur la base de divers critères tels qu'un nombre d'impulsions de programme
The start and stop of the step up in the bit line voltage (Vbc) can be set based on a fixed program pulse number, or adaptive based on a programming progress.
Le début et la fin de l'élévation de la tension de ligne de bits (Vbc) peuvent être définis sur la base d'un nombre fixe d'impulsions de programme, ou de manière adaptative sur la base d'une progression de la programmation.
In one embodiment, the substrate is charged just prior to applying a program pulse, then discharged prior to a program verify operation.
Selon un mode de réalisation, le substrat est chargé juste avant d'appliquer une impulsion de programme, puis déchargé avant une opération de vérification de programme.
As a result, the change in threshold voltage of the storage element within the slow programming mode, with each program pulse can be made uniform, resulting in improved programming accuracy.
Il en résulte que la variation de la tension de seuil de l'élément de stockage en mode de programmation lente et chaque impulsion de programme peuvent être rendues uniformes, ce qui améliore la précision de programmation.
In a non-volatile storage system, capacitive coupling effects are reduced by reducing the probability that adjacent storage elements reach the lockout condition at close to the same program pulse.
Selon la présente invention, dans un système de mémoire non volatile, pour réduire les effets de couplage capacitif, on réduit la probabilité pour les éléments de mémoire adjacents d'arriver à l'état d'exclusion à proximité immédiate de la même impulsion de programme.
subsequent programming process are adjusted based on the identification of the program pulse if the one or more sensing operations determined that less than a required number of non-volatile storage elements achieved any of the alternative results.
les processus de programmation suivants sont ajustés en fonction de l'identification de l'impulsion de programme si ledit ou lesdites opérations de détection ont déterminé qu'un nombre d'éléments de stockage non volatils inférieur au nombre requis ont atteint l'un quelconque des résultats alternatifs.
during the program pulse, the bit line is changed from said first voltage to a second voltage, where the second voltage allows the first non-volatile storage element to be programmed.
pendant l'impulsion de programme, la ligne binaire passe de ladite première tension à une deuxième tension, la deuxième tension permettant au premier élément de mémoire non volatile d'être programmé.
One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse.
Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoire inscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme.
METHOD AND SYSTEM FOR PROGRAM PULSE GENERATION DURING PROGRAMMING OF NONVOLATILE ELECTRONIC DEVICES
PROCEDE ET SYSTEME DE GENERATION D'IMPULSION DE PROGRAMMATION LORS DE LA PROGRAMMATION DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES NON VOLATILS
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