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cellule mémoire programmable
cellule de mémoire programmable
A one time programmable memory cell having twin wells to improve dielectric breakdown while minimizing current leakage.
La présente invention concerne une cellule mémoire programmable une seule fois, dotée de deux puits destinés à améliorer la rupture diélectrique tout en limitant les fuites de courant.
supplying a first verify potential to the gate of an address programmable memory cell; and
par application d'un premier potentiel de vérification sur la grille d'une cellule mémoire programmable adressée; et
large capacity one-time programmable memory cell using metal oxides
an electrically programmable memory cell and corresponding method for fabricating the same, provide a reduced electron tunneling threshold to reduce parasitic substrate currents during cell programming
une cellule de mémoire programmable électriquement et son procédé de fabrication, permettant la réduction du seuil d'effet tunnel électronique en vue de réduire les courants de substrat parasites pendant la programmation de la cellule
a non-volatile one time programmable memory cell couples in series a two terminal fuse and a three terminal antifuse
une cellule de mémoire programmable une fois et non volatile, qui couple en série un fusible à deux bornes et un anti-fusible à trois bornes
in lieu of using a programmable memory cell as the select control for the dedicated multiplexer, the system allows a number of lines, including an output clock signal, to be the select control
au lieu d'utiliser une cellule mémoire programmable en tant que commande de sélection pour le multiplexeur spécialisé, le système utilise plusieurs lignes, y compris un signal d'horloge de sortie, en tant que commande de sélection
A one time programmable memory cell having an anti-fuse device with a low threshold voltage independent of core circuit process manufacturing technology is presented.
L'invention concerne une cellule mémoire programmable une seule fois ayant un dispositif anti-fusible avec une faible tension de seuil indépendante de la technologie de fabrication du procédé de circuit central.
a programmable memory cell (102-figure comprised of a transistor located at the crosspoint of a column bitline and a row word line is disclosed
l'invention concerne une cellule mémoire programmable constituée d'un transistor disposé au croisement d'une ligne de bit en colonne et d'une ligne de mot en rangée
NON-VOLATILE PROGRAMMABLE MEMORY CELL AND MEMORY ARRAY
CELLULE DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE NON VOLATILE ET ENSEMBLE MÉMOIRE
ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CELL, MEMORY, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
CELLULE DE MÉMOIRE PROGRAMMABLE UNIQUE, MÉMOIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Methods are described to fabricate, program, and sense a multilevel one-time- programmable memory cell including a steering element such as a diode and two, three, or more dielectric antifuses in series.
La présente invention concerne des procédés de fabrication, de programmation et de lecture d'une cellule mémoire multi-niveaux programmable une fois comportant un élément de commande tel qu'une diode et des anti-fusibles diélectriques au nombre de deux, trois ou plus, en série.
in one preferred embodiment, a memory cell is operable as a one-time programmable memory cell or a rewritable memory cell
dans un mode de réalisation préféré, une cellule de mémoire peut être utilisée comme cellule de mémoire à programmation unique ou comme cellule de mémoire réinscriptible
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Synoniemen voor programmable memory cell in het Engels