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conditions de programmation
An exhaustive study of the influence of programming conditions and technological parameters has been carried out.
Une étude exhaustive de l'influence des conditions de programmation ainsi que des paramètres technologiques sur les performances électriques a été menée.
method for upgrading network server programming conditions, associated system and software product
procédé de mise à jour des conditions de programmation de serveurs de réseaux, et système et logiciel associés
One or more programming conditions to apply to a memory cell having a reversible resistivity-switching element may be determined based on its resistance.
Une ou plusieurs conditions de programmation pour appliquer à une cellule de mémoire ayant un élément de commutation de résistivité réversible peuvent être déterminées sur la base de sa résistance.
The one or more programming conditions may include a programming voltage and a current limit.
La ou les conditions de programmation peuvent comprendre une tension de programmation et une limite de courant.
One or more programming conditions depend on the location of the word line that is selected for programming.
Une ou plusieurs conditions de programmation dépendent de l'emplacement de la ligne de mots qui est sélectionnée pour la programmation.
The determination of one or more programming conditions may also be based on a pre-determined algorithm that may be based on properties of the memory cell.
La détermination d'une ou plusieurs conditions de programmation peut également être basée sur un algorithme prédéterminé qui peut être basé sur des propriétés de la cellule de mémoire.
The resistances of the high resistance states and the programming conditions to convert the high resistance states to the low resistance state are different in each of the plurality of memory regions.
Les résistances des états à résistance élevée et les conditions de programmation pour convertir les états à résistance élevée en l'état à résistance faible sont différentes dans chacune de la pluralité de régions de mémoire.
each of the plurality of memory regions can be programmed to be in a low resistance state or a high resistance state by applying suitable programming conditions of current and/or voltage
chacune de la pluralité de régions de mémoire peut être programmée pour être dans un état à résistance faible ou un état à résistance élevée par application de conditions de programmation appropriées de courant et/ou de tension
a method of providing optimal fuse programming conditions by which an integrated circuit chip customer may program electronic fuses in the field, ie, outside of the manufacturing test environment
un procédé de fourniture de conditions de programmation de fusibles optimale par lequel un client de puce de circuit intégré peut programmer des fusibles électroniques par champ, c'est-à-dire, à l'extérieur de l'environnement de test de fabrication
The analysis of the impact of the programming conditions on the resulting read current measured under a low voltage was performed using analog test structures.
L'impact des conditions de programmation sur le courant de lecture mesuré sous une basse tension a également été analysé.
the method in accordance with the invention makes it possible to replace the programming conditions of a server in real time, proceeding in such a way that the process which is to be replaced coexists for a certain period of time with the replacement process
la présente invention se rapporte à un procédé selon lequel il est possible de remplacer les conditions de programmation d'un serveur s en temps réel de telle manière que le processus qui doit être remplacé coexiste pendant un laps de temps donné avec le processus de remplacement
Accessing the optimal fuse programming identifier on the customer's IC chip, the customer may apply a fuse programming process in the field according to one or more correlated optimal fuse programming conditions.
Par le fait d'accéder à un identifiant de programmation de fusibles optimale sur la puce de circuit imprimé du client, le client peut appliquer un procédé de programmation de fusible dans le champ selon une ou plusieurs conditions de programmation de fusibles optimale corrélées.
The use of PCM devices as binary probabilistic synapses is studied for complex visual pattern extraction applications, evaluating the impact of the PCM programming conditions on the system-level power consumption.A programming strategy is proposed to mitigate the impact of PCM resistance drift.
L'utilisation des dispositifs PCM en tant que synapses de type binaire et probabiliste est étudiée pour l'extraction de motifs visuels complexes, en évaluant l'impact des conditions de programmation sur la consommation de puissance au niveau du système.
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